| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 引言 | 第5-6页 |
| 第一章 半导体技术以及光掩膜制作技术背景介绍 | 第6-13页 |
| 第一节 半导体技术现状及发展趋势 | 第6页 |
| 第二节 光掩膜技术的现状及发展趋势 | 第6-7页 |
| 第三节 光掩膜制造技术简介 | 第7-10页 |
| 第四节 传统光掩膜清洗技术 | 第10-12页 |
| 第五节 本章小结 | 第12-13页 |
| 第二章 光掩膜结晶生长及清洗良率降低原因分析 | 第13-20页 |
| 第一节 光掩膜结晶生长及对晶圆生产的影响 | 第13-17页 |
| 第二节 清洗良率降低的原因分析 | 第17-19页 |
| 第三节 本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 新光掩膜清洗技术导入以解决结晶生长问题 | 第20-32页 |
| 第一节 新清洗技术的工作原理 | 第20-22页 |
| 第二节 新型清洗技术导入制程导入的方法与结果分析 | 第22-30页 |
| 第三节 完整清洗程序的清洗效果测定 | 第30页 |
| 第四节 本章小结 | 第30-32页 |
| 第四章 新光掩膜清洗参数及流程优化以改善结晶生长问题 | 第32-37页 |
| 第一节 新的清洗技术引入后所面临的问题 | 第32页 |
| 第二节 改善的方法与结果分析 | 第32-35页 |
| 第三节 批量生产良率验证 | 第35-36页 |
| 第四节 本章小结 | 第36-37页 |
| 第五章 改进设备操作与维护方法以提高掩模版清洗良率 | 第37-43页 |
| 第一节 清洗良率降低的机理分析 | 第37-38页 |
| 第二节 改善的方法与结果分析 | 第38-40页 |
| 第三节 优化成效评估 | 第40-42页 |
| 第四节 本章小结 | 第42-43页 |
| 第六章 结论 | 第43-45页 |
| 第一节 结论 | 第43页 |
| 第二节 未来展望 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |