| 摘要 | 第3-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| 1.1 课题背景、研究目的与意义 | 第13-15页 |
| 1.1.1 课题来源与研究背景 | 第13-14页 |
| 1.1.2 研究目的及意义 | 第14-15页 |
| 1.2 国内外研究现状及分析 | 第15-19页 |
| 1.2.1 单晶硅纳米压痕的分子动力学研究 | 第15-17页 |
| 1.2.2 单晶硅材料去除机理的分子动力学研究 | 第17-18页 |
| 1.2.3 单晶硅亚表层损伤的分子动力学研究 | 第18-19页 |
| 1.3 目前研究中存在的不足 | 第19-20页 |
| 1.4 本课题研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 单颗磨粒磨削单晶硅分子动力学建模 | 第21-34页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 分子动力学基本思想 | 第21-26页 |
| 2.2.1 系统运动基本方程 | 第22-23页 |
| 2.2.2 有限差分算法 | 第23-24页 |
| 2.2.3 原子间作用力的计算 | 第24-26页 |
| 2.3 仿真模型建立 | 第26-32页 |
| 2.3.1 单颗磨粒高速磨削分子动力学仿真模型 | 第27-28页 |
| 2.3.2 势函数的选取 | 第28-31页 |
| 2.3.3 系综的选择与能量最小化 | 第31-32页 |
| 2.4 分子动力学串行仿真程序设计 | 第32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 单晶硅高速磨削材料去除机理仿真研究 | 第34-46页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 切屑形成过程及磨削表面形成机理 | 第34-39页 |
| 3.2.1 材料去除 | 第34-36页 |
| 3.2.2 配位数分布 | 第36-37页 |
| 3.2.3 等效应力分布 | 第37-39页 |
| 3.3 磨削力和摩擦系数分析 | 第39-41页 |
| 3.4 势能、接触应力和平均温度分析 | 第41-44页 |
| 3.4.1 势能分析 | 第41-42页 |
| 3.4.2 接触应力分析 | 第42页 |
| 3.4.3 平均温度分析 | 第42-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 磨削参数对亚表层损伤深度影响研究 | 第46-57页 |
| 4.1 引言 | 第46-47页 |
| 4.2 晶体缺陷识别方法及各自特点 | 第47-50页 |
| 4.2.1 中心对称参数方法(CentralSymmetryParameter,CSP) | 第47-48页 |
| 4.2.2 原子应力分析法(AtomicStressAnalysis) | 第48-49页 |
| 4.2.3 共近邻分析法(Commonneighboranalysis,CNA) | 第49-50页 |
| 4.3 磨削参数对亚表层损伤深度的影响 | 第50-55页 |
| 4.3.1 亚表层损伤深度随磨削距离的变化规律 | 第51-53页 |
| 4.3.2 磨削速度对亚表层损伤深度的影响 | 第53-55页 |
| 4.4 模型表面积与亚表层损伤关系 | 第55-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 单晶硅单颗磨粒划擦实验 | 第57-66页 |
| 5.1 引言 | 第57页 |
| 5.2 实验和检测设备 | 第57-60页 |
| 5.3 单颗磨粒划擦实验方法 | 第60页 |
| 5.4 实验结果分析 | 第60-65页 |
| 5.4.1 划痕深度和材料堆积高度分析 | 第60-63页 |
| 5.4.2 划痕表面形貌分析 | 第63-65页 |
| 5.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 结论与展望 | 第66-68页 |
| 6.1 总结 | 第66-67页 |
| 6.2 展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第74页 |
