| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 体硅MOSFET简介 | 第8-9页 |
| 1.2 SOI MOSFET简介 | 第9-10页 |
| 1.3 全耗尽SOI MOSFET器件 | 第10-11页 |
| 1.4 MOSFET源/漏寄生电阻的研究意义 | 第11-12页 |
| 1.5 MOSFET源/漏电阻的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.6 各章节内容安排 | 第13-15页 |
| 第2章 MOSFET源/漏寄生电阻的研究方法 | 第15-23页 |
| 2.1 提取法 | 第15-18页 |
| 2.1.1 沟道电阻法 | 第15-17页 |
| 2.1.2 其它提取法 | 第17-18页 |
| 2.2 建模法 | 第18-22页 |
| 2.2.1 数值法 | 第18-19页 |
| 2.2.2 解析法 | 第19页 |
| 2.2.3 半解析法 | 第19-22页 |
| 2.3 本章小结 | 第22-23页 |
| 第3章 全耗尽SOI MOSFET源/漏寄生电阻的半解析模型 | 第23-36页 |
| 3.1 SOI MOSFET的半解析模型 | 第23-24页 |
| 3.2 Ⅰ区电阻的求解 | 第24-25页 |
| 3.3 Ⅱ区和Ⅲ区边值问题的求解 | 第25-34页 |
| 3.3.1 Ⅱ区和Ⅲ区电势问题的偏微分方程 | 第26页 |
| 3.3.2 Ⅱ区的边界条件及边值问题的解 | 第26-31页 |
| 3.3.3 Ⅲ区的边值问题及其解 | 第31-34页 |
| 3.4 源漏区电阻的分区求解 | 第34-35页 |
| 3.4.1 Ⅱ区电阻的求解 | 第34-35页 |
| 3.4.2 Ⅲ区电阻的求解 | 第35页 |
| 3.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章 全耗尽SOI MOSFET半解析模型的验证分析 | 第36-53页 |
| 4.1 全耗尽SOI MOSFET二维模型电势分布的验证与分析 | 第36-42页 |
| 4.1.1 Ⅱ区二维电势的验证分析 | 第38-40页 |
| 4.1.2 Ⅲ区二维电势的验证分析 | 第40-42页 |
| 4.2 全耗尽SOI MOSFET源/漏寄生电阻的验证分析 | 第42-49页 |
| 4.3 硅化物对全耗尽SOI MOSFET器件源/漏寄生电阻的影响 | 第49-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第5章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 5.1 总结 | 第53-54页 |
| 5.2 展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第60页 |
| 参与的科研项目 | 第60页 |
