摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
第1章 引言 | 第13-27页 |
1.1 集成电路的发展简介 | 第13-14页 |
1.1.1 集成电路的发展 | 第13页 |
1.1.2 集成电路面临的挑战及其关键技术 | 第13-14页 |
1.2 Cu连技术 | 第14-18页 |
1.2.1 Cu连技术的提出 | 第14-16页 |
1.2.2 Cu连的发展及研究现状 | 第16-17页 |
1.2.3 阻挡层材料研究现状 | 第17-18页 |
1.3 铁电存储器 | 第18-23页 |
1.3.1 传统磁存储技术的不足 | 第18-19页 |
1.3.2 铁电存储器原理 | 第19-22页 |
1.3.3 铁电电容器电极材料 | 第22-23页 |
1.4 硅基Cu薄膜与铁电电容器的集成 | 第23-25页 |
1.4.1 Cu薄膜与铁电电容器集成的基本设计思想和电路结构 | 第23页 |
1.4.2 硅基Cu薄膜与铁电电容器集成的研究现状 | 第23-24页 |
1.4.3 硅基Cu薄膜与铁电电容器集成的困难 | 第24-25页 |
1.5 本论文研究意义和主要内容 | 第25-27页 |
第2章 薄膜制备方法和表征手段 | 第27-39页 |
2.1 薄膜制备方法 | 第27-32页 |
2.1.1 磁控溅射法 | 第27-29页 |
2.1.2 溶胶-凝胶(sol-gel)法及其快速退火工艺(RTA) | 第29-32页 |
2.2 薄膜表征手段 | 第32-39页 |
2.2.1 四探针测试仪 | 第32-33页 |
2.2.2 X射线衍射 | 第33-35页 |
2.2.3 原子力显微镜 | 第35-36页 |
2.2.4 透射电子显微镜 | 第36-38页 |
2.2.5 铁电性能综合测量 | 第38-39页 |
第3章 SRO/PZT/SRO异质结铁电薄膜电容器与Si基Cu薄膜的集成研究 | 第39-57页 |
3.1 实验 | 第39-41页 |
3.2 SrRuO_3/Ni-Al/Cu/Ni-Al/SiO_2/Si多层异质结热稳定性研究 | 第41-44页 |
3.3 SRO/PZT/SRO/Ni-Al/Cu/Ni-Al/SiO_2/Si含Cu异质结电容器结构和铁电性能研究 | 第44-52页 |
3.4 低温长高温退工艺用于制备多层含Cu氧化物电极的研究 | 第52-55页 |
3.4.1 "低温长高温退"工艺的出发点及其基本含义 | 第52-53页 |
3.4.2 结果与讨论 | 第53-55页 |
3.5 小结 | 第55-57页 |
第4章 测试温度对SRO/PZT/SRO/Ni-Al/Cu/Ni-Al/SiO_2/Si铁电电容器性能的影响 | 第57-63页 |
4.1 结果与讨论 | 第57-62页 |
4.2 小结 | 第62-63页 |
第5章 LSCO/PZT/LSCO铁电电容器与Si基Cu薄膜集成研究 | 第63-69页 |
5.1 Pt/LSCO/PZT/LSCO/Ni-Al/Cu/Ni-Al/SiO_2/Si含Cu异质结电容器结构和铁电性能研究 | 第63-68页 |
5.2 小结 | 第68-69页 |
第6章 SRO/BFMO/SRO铁电电容器与Si基Cu薄膜集成研究 | 第69-78页 |
6.1 SRO/BFMO/SRO/Ni-Al/Si铁电异质结电容器的研究 | 第70-74页 |
6.1.1 实验 | 第70页 |
6.1.2 结果与讨论 | 第70-74页 |
6.2 SRO/BFMO/SRO/Ni-Al/Cu/Ni-Al/SiO_2/Si含Cu铁电异质结电容器的研究 | 第74-76页 |
6.2.1 实验 | 第74页 |
6.2.2 结果与讨论 | 第74-76页 |
6.3 小结 | 第76-78页 |
第7章 非晶Ni-Al-N薄膜用作Cu互连阻挡层的研究 | 第78-86页 |
7.1 实验 | 第78-79页 |
7.2 结果与讨论 | 第79-83页 |
7.3 Cu/Ni-Al-N/SiO_2/Si结构激活能的研究 | 第83-85页 |
7.3.1 Kissinger方程 | 第83-84页 |
7.3.2 用Kissinger方程计算Cu/Ni-Al-N/SiO_2/Si结构失效激活能 | 第84-85页 |
7.4 小结 | 第85-86页 |
结论 | 第86-89页 |
参考文献 | 第89-95页 |
致谢 | 第95-97页 |
硕士期间学术成果 | 第97-98页 |