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硅基Cu薄膜与氧化物铁电电容器集成的研究

摘要第5-7页
Abstract第7-9页
第1章 引言第13-27页
    1.1 集成电路的发展简介第13-14页
        1.1.1 集成电路的发展第13页
        1.1.2 集成电路面临的挑战及其关键技术第13-14页
    1.2 Cu连技术第14-18页
        1.2.1 Cu连技术的提出第14-16页
        1.2.2 Cu连的发展及研究现状第16-17页
        1.2.3 阻挡层材料研究现状第17-18页
    1.3 铁电存储器第18-23页
        1.3.1 传统磁存储技术的不足第18-19页
        1.3.2 铁电存储器原理第19-22页
        1.3.3 铁电电容器电极材料第22-23页
    1.4 硅基Cu薄膜与铁电电容器的集成第23-25页
        1.4.1 Cu薄膜与铁电电容器集成的基本设计思想和电路结构第23页
        1.4.2 硅基Cu薄膜与铁电电容器集成的研究现状第23-24页
        1.4.3 硅基Cu薄膜与铁电电容器集成的困难第24-25页
    1.5 本论文研究意义和主要内容第25-27页
第2章 薄膜制备方法和表征手段第27-39页
    2.1 薄膜制备方法第27-32页
        2.1.1 磁控溅射法第27-29页
        2.1.2 溶胶-凝胶(sol-gel)法及其快速退火工艺(RTA)第29-32页
    2.2 薄膜表征手段第32-39页
        2.2.1 四探针测试仪第32-33页
        2.2.2 X射线衍射第33-35页
        2.2.3 原子力显微镜第35-36页
        2.2.4 透射电子显微镜第36-38页
        2.2.5 铁电性能综合测量第38-39页
第3章 SRO/PZT/SRO异质结铁电薄膜电容器与Si基Cu薄膜的集成研究第39-57页
    3.1 实验第39-41页
    3.2 SrRuO_3/Ni-Al/Cu/Ni-Al/SiO_2/Si多层异质结热稳定性研究第41-44页
    3.3 SRO/PZT/SRO/Ni-Al/Cu/Ni-Al/SiO_2/Si含Cu异质结电容器结构和铁电性能研究第44-52页
    3.4 低温长高温退工艺用于制备多层含Cu氧化物电极的研究第52-55页
        3.4.1 "低温长高温退"工艺的出发点及其基本含义第52-53页
        3.4.2 结果与讨论第53-55页
    3.5 小结第55-57页
第4章 测试温度对SRO/PZT/SRO/Ni-Al/Cu/Ni-Al/SiO_2/Si铁电电容器性能的影响第57-63页
    4.1 结果与讨论第57-62页
    4.2 小结第62-63页
第5章 LSCO/PZT/LSCO铁电电容器与Si基Cu薄膜集成研究第63-69页
    5.1 Pt/LSCO/PZT/LSCO/Ni-Al/Cu/Ni-Al/SiO_2/Si含Cu异质结电容器结构和铁电性能研究第63-68页
    5.2 小结第68-69页
第6章 SRO/BFMO/SRO铁电电容器与Si基Cu薄膜集成研究第69-78页
    6.1 SRO/BFMO/SRO/Ni-Al/Si铁电异质结电容器的研究第70-74页
        6.1.1 实验第70页
        6.1.2 结果与讨论第70-74页
    6.2 SRO/BFMO/SRO/Ni-Al/Cu/Ni-Al/SiO_2/Si含Cu铁电异质结电容器的研究第74-76页
        6.2.1 实验第74页
        6.2.2 结果与讨论第74-76页
    6.3 小结第76-78页
第7章 非晶Ni-Al-N薄膜用作Cu互连阻挡层的研究第78-86页
    7.1 实验第78-79页
    7.2 结果与讨论第79-83页
    7.3 Cu/Ni-Al-N/SiO_2/Si结构激活能的研究第83-85页
        7.3.1 Kissinger方程第83-84页
        7.3.2 用Kissinger方程计算Cu/Ni-Al-N/SiO_2/Si结构失效激活能第84-85页
    7.4 小结第85-86页
结论第86-89页
参考文献第89-95页
致谢第95-97页
硕士期间学术成果第97-98页

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