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智能优化技术在CMP铜抛光材料与工艺参数优化中的应用研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第一章 绪论第12-30页
    1.1 课题研究背景第13-24页
        1.1.1 集成电路发展进程第13-16页
        1.1.2 多层铜互连技术及大马士革工艺第16-19页
        1.1.3 化学机械抛光技术第19-20页
        1.1.4 CMP技术的关键因素第20-23页
        1.1.5 进一步发展趋势第23-24页
    1.2 课题研究意义第24-25页
    1.3 课题研究现状及亟待解决的问题第25-28页
    1.4 课题研究内容及章节安排第28-30页
第二章 CMP工艺设备与碱性铜抛光液特性的研究第30-44页
    2.1 CMP工艺设备与检测设备研究第30-37页
        2.1.1 抛光机第30-34页
        2.1.2 抛光垫第34页
        2.1.3 原子力显微镜第34-35页
        2.1.4 台阶仪第35-36页
        2.1.5 电子分析天平第36-37页
    2.2 CMP碱性铜抛光液各成分的特性研究第37-43页
        2.2.1 SiO_2磨料特性研究第37-38页
        2.2.2 FA/O型螯合剂特性研究第38-40页
        2.2.3 表面活性剂特性研究第40-42页
        2.2.4 氧化剂特性研究第42-43页
    2.3 仿真实验设备第43页
    2.4 本章小结第43-44页
第三章 智能优化技术相关理论及其可行性分析第44-70页
    3.1 人工神经网络概述第44-47页
    3.2 BP神经网络理论及其可行性分析第47-60页
        3.2.1 BP算法概述第47-50页
        3.2.2 BP算法的优缺点第50-52页
        3.2.3 BP神经网络应用于优化CMP碱性抛光液配比方面的可行性分析第52-59页
        3.2.4 对BP神经网络的改进第59-60页
    3.3 ABC算法相关理论第60-66页
        3.3.1 ABC算法原理及实现第60-63页
        3.3.2 ABC算法的国内外研究现状第63-65页
        3.3.3 ABC算法与其它仿生优化算法比较第65-66页
    3.4 BP-ABC算法第66-67页
    3.5 本章小结第67-70页
第四章 CMP铜抛光速率预测模型的建立及其量化研究第70-94页
    4.1 实验数据来源第70-73页
    4.2 基于BP-ABC算法的CMP铜抛光速率预测模型的建立第73-77页
        4.2.1 数据的预处理第73页
        4.2.2 确定网络模型的结构及参数第73-76页
        4.2.3 建立模型第76页
        4.2.4 模型的性能研究第76-77页
    4.3 改进的BP-ABC算法第77-83页
        4.3.1 ABC算法的改进现状第77-78页
        4.3.2 改进的ABC算法的原理第78-80页
        4.3.3 BP-NCABC算法的实现第80-83页
    4.4 基于BP-NCABC算法的CMP铜抛光速率预测模型第83-84页
        4.4.1 建立模型第83页
        4.4.2 模型的性能分析第83-84页
    4.5 两种模型对比分析研究第84-86页
    4.6 模型的量化研究第86-93页
        4.6.1 敏感性分析方法第87-88页
        4.6.2 CMP碱性抛光液各组成成分对铜抛光速率的影响程度分析第88-89页
        4.6.3 CMP碱性抛光液各组成成分的交互作用对铜抛光速率的影响程度分析第89-93页
    4.7 本章小结第93-94页
第五章 CMP铜抛光速率和WIWNU预测模型的建立及其量化研究第94-110页
    5.1 基于BP-NCABC算法的CMP铜抛光速率和WIWNU预测模型的建立第94-99页
        5.1.1 实验数据来源第94-97页
        5.1.2 建立模型第97-98页
        5.1.3 模型的性能分析第98-99页
    5.2 模型各因素对抛光速率和WIWNU的影响程度的量化研究第99-105页
        5.2.1 各因素对抛光速率和WIWNU的影响程度排序第99-100页
        5.2.2 压力对抛光速率和WIWNU的影响程度分析第100-101页
        5.2.3 转速对抛光速率和WIWNU的影响程度分析第101-102页
        5.2.4 流量对抛光速率和WIWNU的影响程度分析第102-103页
        5.2.5 磨料对抛光速率和WIWNU的影响程度分析第103-104页
        5.2.6 螯合剂对抛光速率和WIWNU的影响程度分析第104页
        5.2.7 氧化剂对抛光速率和WIWNU的影响程度分析第104-105页
    5.3 基于模型量化分析结果对抛光材料和工艺的优化第105-109页
    5.4 本章小结第109-110页
第六章 低压低磨料碱性铜抛光液与抛光工艺平坦化性能研究第110-118页
    6.1 低压低磨料碱性铜抛光液和抛光工艺的抛光速率和WIWNU的对比分析研究第110-113页
        6.1.1 实验第110-112页
        6.1.2 结果与讨论第112-113页
    6.2 低压低磨料碱性铜抛光液和抛光工艺平坦化性能研究第113-117页
        6.2.1 实验第113-114页
        6.2.2 结果与讨论第114-117页
    6.3 本章小结第117-118页
第七章 总结第118-122页
    7.1 本文工作总结第118-120页
    7.2 课题创新点第120页
    7.3 未来工作展望第120-122页
参考文献第122-132页
攻读学位期间所取得的相关科研成果第132-134页
致谢第134页

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