| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 定位技术在失效分析技术中的重要性 | 第9-10页 |
| 1.3 研究内容及组织结构 | 第10-12页 |
| 第2章 失效分析中定位技术的概述 | 第12-16页 |
| 2.1 定位技术应用的基本原则 | 第12页 |
| 2.2 定位技术的步骤 | 第12-13页 |
| 2.3 定位技术的应用及特点 | 第13-14页 |
| 2.4 定位技术面临的挑战 | 第14-16页 |
| 第3章 集成电路定位技术分析 | 第16-36页 |
| 3.1 光束诱导电阻变化（OBIRCH） | 第16-21页 |
| 3.1.1 OBIRCH技术介绍 | 第16-17页 |
| 3.1.2 OBIRCH的工作原理 | 第17-20页 |
| 3.1.3 OBIRCH在失效分析中的应用 | 第20-21页 |
| 3.2 光发射显微镜（PEM） | 第21-28页 |
| 3.2.1 PEM结构与功能 | 第21-23页 |
| 3.2.2 PEM的工作原理 | 第23-26页 |
| 3.2.3 PEM在失效分析中的应用 | 第26-28页 |
| 3.3 扫描电子显微镜（SEM） | 第28-33页 |
| 3.3.1 SEM简介 | 第28-29页 |
| 3.3.2 SEM的工作原理 | 第29-30页 |
| 3.3.3 SEM电压对比定位技术 | 第30-33页 |
| 3.4 聚焦离子束显微镜（FIB） | 第33-36页 |
| 3.4.1 FIB的工作原理 | 第33-34页 |
| 3.4.2 FIB电压对比定位技术 | 第34-36页 |
| 第4章 定位技术在集成电路失效分析中的应用 | 第36-48页 |
| 4.1 连接栓结构失效分析 | 第36-41页 |
| 4.1.1 OBIRCH及VC在连接栓结构中的应用 | 第37-40页 |
| 4.1.2 FIB修补技术、大电压扫描及VC技术的结合应用 | 第40-41页 |
| 4.2 大面积重复单元样品的失效分析 | 第41-44页 |
| 4.2.1 热点定位技术在GOI中的应用 | 第41-42页 |
| 4.2.2 FIB电路修补在GOI中的应用 | 第42-44页 |
| 4.3 长距离金属互连层的失效分析 | 第44-48页 |
| 4.3.1 OBIRCH电路修补在互连金属中的应用 | 第45-46页 |
| 4.3.2 FIB电路修补及二分法的应用 | 第46-48页 |
| 第5章 总结与展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
