| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 序论 | 第8-12页 |
| 1.1 电力电子技术简介 | 第8页 |
| 1.2 SPIC简介 | 第8-10页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第10-12页 |
| 第二章 半导体工艺的发展简述及三种代表工艺 | 第12-28页 |
| 2.1 半导体工艺的发展 | 第12页 |
| 2.2 三种代表工艺 | 第12-27页 |
| 2.2.1 标准双极工艺 | 第12-15页 |
| 2.2.2 硅栅CMOS工艺 | 第15-22页 |
| 2.2.3 BiCMOS工艺 | 第22-26页 |
| 2.2.4 硅栅CMOS工艺与模拟BiCMOS工艺的比较 | 第26-27页 |
| 2.3 小结 | 第27-28页 |
| 第三章 与CMOS工艺兼容的新型工艺设计 | 第28-42页 |
| 3.1 B13工艺简述 | 第28页 |
| 3.2 工艺流程 | 第28-34页 |
| 3.3 可实现的器件及无源元件 | 第34-37页 |
| 3.4 各注入层的掺杂分布参数 | 第37-41页 |
| 3.5 B13工艺2um设计规则的定制(见附录 | 第41页 |
| 3.6 基于cadence的版图检查规则的编写(见附录2) | 第41页 |
| 3.7 B13工艺流程(见附录3) | 第41-42页 |
| 第四章 小结 | 第42-43页 |
| 致谢 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 附录 | 第45-61页 |
| 附录1 | 第45-52页 |
| 附录2 | 第52页 |
| 附录3(略) | 第52-61页 |
| 个人简历 | 第61页 |