| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-20页 |
| 1、研究动机和背景 | 第9-17页 |
| ·、可制造性设计与工艺偏差 | 第10-12页 |
| ·、纳米工艺下化学机械抛光工艺引起的问题 | 第12-17页 |
| 2、本文的研究内容和主要贡献 | 第17-18页 |
| ·、基于广义粗糙抛光垫模型的化学机械抛光工艺仿真方法 | 第17-18页 |
| ·、哑元金属填充完全多项式时间近似算法 | 第18页 |
| 3、本文的组织结构 | 第18-20页 |
| 第二章 化学机械抛光工艺建模与仿真的研究背景 | 第20-34页 |
| 1、化学机械抛光技术简介 | 第20-22页 |
| 2、化学机械抛光技术在铜互连工艺中的应用 | 第22-25页 |
| 3、化学机械抛光物理机理模型 | 第25-33页 |
| ·、光滑抛光垫模型 | 第27-28页 |
| ·、基于Greenwood-Williamson统计接触理论的粗糙抛光垫模型 | 第28-31页 |
| ·、基于直接数值方法的粗糙抛光垫模型 | 第31-33页 |
| 4、本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 基于粗糙抛光垫模型的化学机械抛光工艺建模与仿真方法 | 第34-59页 |
| 1、抛光垫粗糙表面的生成 | 第34-39页 |
| ·、高斯粗糙表面的生成 | 第36-38页 |
| ·、非高斯粗糙表面的生成 | 第38-39页 |
| 2、抛光垫与芯片之间粗糙接触问题求解 | 第39-41页 |
| 3、基于广义粗糙抛光垫模型的CMP工艺仿真流程 | 第41-43页 |
| 4、CMP工艺模型参数的校准 | 第43-44页 |
| 5、数值实验结果和分析 | 第44-58页 |
| ·、抛光垫粗糙表面的生成 | 第44-46页 |
| ·、CMP工艺抛光过程仿真 | 第46-49页 |
| ·、空间离散对仿真精度的影响 | 第49-50页 |
| ·、广义粗糙抛光垫模型与光滑抛光垫模型的比较 | 第50-51页 |
| ·、模型验证和模型参数的校准 | 第51-52页 |
| ·、互连线宽对抛光平整度的影响 | 第52-54页 |
| ·、高斯抛光垫表面特性对抛光平整度的影响 | 第54-56页 |
| ·、非高斯抛光垫表面特性对抛光平整度的影响 | 第56-58页 |
| 6、本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 化学机械抛光哑元金属填充技术的研究背景 | 第59-65页 |
| 1、哑元金属填充技术概述 | 第59-60页 |
| 2、哑元金属填充算法研究工作回顾 | 第60-64页 |
| ·、密度驱动的哑元金属填充算法 | 第60-63页 |
| ·、时序性能驱动的哑元金属填充算法 | 第63-64页 |
| 3、本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 化学机械抛光哑元金属填充完全多项式时间近似算法 | 第65-89页 |
| 1、密度驱动的哑元金属填充快速近似算法 | 第65-75页 |
| ·、密度驱动的哑元金属填充问题的覆盖线性规划描述 | 第65-67页 |
| ·、完全多项式时间近似算法 | 第67-70页 |
| ·、完全多项式时间近似算法性能分析 | 第70-75页 |
| 2、考虑耦合电容影响的哑元金属填充快速近似算法 | 第75-79页 |
| ·、互连线耦合电容模型 | 第75-76页 |
| ·、可填充区域计算 | 第76-78页 |
| ·、最小化耦合电容影响的覆盖线性规划描述 | 第78-79页 |
| 3、一种哑元金属填充启发式算法 | 第79-81页 |
| 4、数值实验结果和分析 | 第81-88页 |
| ·、近似算法的近似精度 | 第81-83页 |
| ·、近似算法的可伸缩性 | 第83-84页 |
| ·、启发式算法的效率与精度 | 第84-86页 |
| ·、最小化耦合电容影响的填充 | 第86-88页 |
| 5、本章小结 | 第88-89页 |
| 第六章 总结和展望 | 第89-91页 |
| 1、全文总结 | 第89-90页 |
| 2、对未来工作的展望 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-98页 |
| 己发表文章与己申请专利列表 | 第98-99页 |
| 1、已发表文章列表 | 第98页 |
| 2、已申请专利列表 | 第98-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
