| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 文献综述 | 第7-13页 |
| 1.1 引言 | 第7页 |
| 1.2 铜工艺中的化学机械抛光技术(CMP) | 第7-9页 |
| 1.3 铜工艺中的扩散阻挡层 | 第9-11页 |
| 1.3.1 铜扩散阻挡层的研究进展 | 第9-10页 |
| 1.3.2 Mo作为铜互连扩散阻挡层的研究进展 | 第10页 |
| 1.3.3 CoMo新型铜互连扩散阻挡层的研究进展 | 第10-11页 |
| 1.3.4 铜互连扩散阻挡层的化学机械抛光 | 第11页 |
| 1.4 本论文的研究内容 | 第11-13页 |
| 第二章 图形片设计 | 第13-33页 |
| 2.1 概述 | 第13页 |
| 2.2 表面形貌测试结构(PHYSICAL TEST STRUCTURES) | 第13-23页 |
| 2.2.1 阵列区域设计(Array Regions) | 第14-15页 |
| 2.2.2 表面形貌混合测试结构(Combination Structure) | 第15-16页 |
| 2.2.3 槽(Slotting)区域设计 | 第16-23页 |
| 2.3 电学测试结构(ELECTRICAL TEST STRUCTURES) | 第23-33页 |
| 2.3.1 电阻测试结构(Resistance Test Structures) | 第24-26页 |
| 2.3.2 漏电流测试及电容结构(Leakage Current & Capicitance Test Structures) | 第26-33页 |
| 第三章 实验方法 | 第33-59页 |
| 3.1 样品制备 | 第33-55页 |
| 3.1.1 硅片清洗和氧化 | 第33-34页 |
| 3.1.2 光刻 | 第34-41页 |
| 3.1.3 反应离子刻蚀(RIE) | 第41页 |
| 3.1.4 RIE刻蚀去胶后氧化硅图形片 | 第41-48页 |
| 3.1.5 物理气相淀积(PVD)和电镀 | 第48-49页 |
| 3.1.6 化学机械抛光(CMP) | 第49-55页 |
| 3.2 测试方法 | 第55-59页 |
| 3.2.1 台阶仪 | 第55页 |
| 3.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第55页 |
| 3.2.3 原子力显微镜(AFM) | 第55-56页 |
| 3.2.4 白光干涉仪 | 第56页 |
| 3.2.5 探针台与安捷伦B1500A | 第56-59页 |
| 第四章 CMP后表面形貌测试研究 | 第59-75页 |
| 4.1 抛光后SEM测试结果分析 | 第60-65页 |
| 4.2 白光干涉仪测试结果分析 | 第65-72页 |
| 4.2.1 表面形貌测试结构-阵列区域白光干涉分析 | 第65-67页 |
| 4.2.2 表面形貌测试结构-槽型slotting区域白光干涉分析 | 第67-72页 |
| 4.3 AFM测试结果分析 | 第72-74页 |
| 4.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 第五章 CMP后电学测试研究 | 第75-90页 |
| 5.1 电阻测试结果分析 | 第75-82页 |
| 5.2 漏电流测试结果分析 | 第82-86页 |
| 5.2.1 面积漏电流测试结果分析 | 第82-84页 |
| 5.2.2 方块漏电流测试结果分析 | 第84-86页 |
| 5.3 电容测试结果分析 | 第86-88页 |
| 5.4 本章小结 | 第88-90页 |
| 第六章 总结与展望 | 第90-92页 |
| 6.1 全文总结 | 第90-91页 |
| 6.2 进一步要开展的研究 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-97页 |
| 致谢 | 第97-98页 |
| 附录：攻读硕士期间发表的论文 | 第98-99页 |
