| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-13页 |
| 1.1 本文研究背景与意义 | 第7-9页 |
| 1.1.1 器件尺寸缩小带来的挑战以及解决方案 | 第7-9页 |
| 1.1.2 器件建模意义 | 第9页 |
| 1.2 围栅MOSFET建模研究现状 | 第9-11页 |
| 1.3 论文主要内容和安排 | 第11-13页 |
| 第二章 围栅MOSFET基本原理及仿真研究 | 第13-25页 |
| 2.1 TCAD仿真工具介绍 | 第13-17页 |
| 2.1.1 仿真工具 | 第13-14页 |
| 2.1.2 模型选择 | 第14-16页 |
| 2.1.3 仿真应用举例 | 第16-17页 |
| 2.2 围栅MOSFET的工艺与基本原理 | 第17-24页 |
| 2.2.1 围栅MOSFET工艺 | 第17-19页 |
| 2.2.2 围栅MOSFET的基本原理与特性 | 第19-24页 |
| 2.3 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 围栅MOSFET的解析模型及仿真验证 | 第25-40页 |
| 3.1 电势模型 | 第25-30页 |
| 3.2 阈值电压模型 | 第30-35页 |
| 3.3 亚阈值电流模型 | 第35-37页 |
| 3.4 亚阈值摆幅模型 | 第37-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 围栅MOSFET量子力学效应建模与仿真研究 | 第40-54页 |
| 4.1 量子力学效应对器件影响 | 第40-44页 |
| 4.1.1 量子力学效应对载流子分布影响 | 第40-42页 |
| 4.1.2 量子力学效应对电流电压特性影响 | 第42-44页 |
| 4.2 量子力学效应引起阈值电压漂移模型 | 第44-53页 |
| 4.2.1 量子力学效应物理基础 | 第44-46页 |
| 4.2.2 轻掺杂器件阈值电压漂移模型 | 第46-49页 |
| 4.2.3 重掺杂器件阈值电压漂移模型 | 第49-50页 |
| 4.2.4 模型结果分析 | 第50-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 椭圆围栅MOSFET建模与仿真研究 | 第54-62页 |
| 5.1 椭圆型围栅MOSFET建模 | 第54-56页 |
| 5.2 结果验证和分析 | 第56-61页 |
| 5.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 总结与展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 附录Ⅰ 反型层电子面电荷密度 | 第67-68页 |
| 附录Ⅱ Sentaurus输入文件 | 第68-70页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文情况 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |