| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第15-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第15页 |
| 1.2 版图效应的研究现状 | 第15-18页 |
| 1.2.1 LOD 效应的研究现状 | 第15-16页 |
| 1.2.2 反向窄沟道效应的研究现状 | 第16页 |
| 1.2.3 衬底邻近效应的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.2.4 OD 临近效应的研究现状 | 第17页 |
| 1.2.5 版图效应在电路设计中的现状 | 第17-18页 |
| 1.3 研究意义 | 第18页 |
| 1.4 论文的内容安排 | 第18-19页 |
| 第二章 标准单元库设计基础 | 第19-27页 |
| 2.1 标准单元库设计流程 | 第19-24页 |
| 2.1.1 常规单元库的设计流程 | 第19-20页 |
| 2.1.2 多阈值电压单元库的设计流程 | 第20-24页 |
| 2.2 标准单元库的规格制定标准 | 第24-26页 |
| 2.2.1 版图规格 | 第24-25页 |
| 2.2.2 运行规格 | 第25页 |
| 2.2.3 功耗规格 | 第25-26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 标准单元库中辅助器件的设计 | 第27-55页 |
| 3.1 功率门控器件的设计 | 第27-41页 |
| 3.1.1 功率门控的基本知识 | 第27-31页 |
| 3.1.2 40 纳米下功率门控器件的设计 | 第31-40页 |
| 3.1.3 40 纳米下常开型 buffer 的设计 | 第40页 |
| 3.1.4 头器件的功耗测量 | 第40-41页 |
| 3.2 电平转换器的设计 | 第41-49页 |
| 3.2.1 多供给型 | 第41-43页 |
| 3.2.2 多电压型 | 第43-45页 |
| 3.2.3 多电压关断型 | 第45-46页 |
| 3.2.4 40 纳米下的动态电压规划的后端实现方式 | 第46-47页 |
| 3.2.5 数据保存触发器的设计 | 第47-49页 |
| 3.3 40 纳米下特殊器件的设计 | 第49-53页 |
| 3.3.1 天线效应改进器 | 第49-50页 |
| 3.3.2 延时器 | 第50-51页 |
| 3.3.3 高低电平连接器 | 第51页 |
| 3.3.4 填充器件 | 第51-52页 |
| 3.3.5 耦合器件 | 第52页 |
| 3.3.6 ECO 器件 | 第52-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 标准单元库中核心器件的设计 | 第55-78页 |
| 4.1 核心器件的分类 | 第55页 |
| 4.2 针对 LOD 效应的全新设计 | 第55-64页 |
| 4.2.1 LOD 效应的物理原理 | 第55-57页 |
| 4.2.2 针对 LOD 效应对反相器的全新设计 | 第57-62页 |
| 4.2.3 针对 LOD 效应对 D 触发器的全新设计 | 第62-64页 |
| 4.3 针对反向窄沟道效应的全新设计 | 第64-75页 |
| 4.3.1 反向窄沟道效应的工艺原理 | 第64-66页 |
| 4.3.2 反向窄沟道效应对 MOS 的影响仿真 | 第66-68页 |
| 4.3.3 针对 NWE 对于核心器件的全新设计 | 第68-75页 |
| 4.4 温度反转效应 | 第75-77页 |
| 4.5 本章小结 | 第77-78页 |
| 第五章 标准单元库的整体仿真 | 第78-93页 |
| 5.1 时序参数分析与仿真 | 第78-83页 |
| 5.1.1 上升下降时间 | 第78-79页 |
| 5.1.2 传输时延 | 第79页 |
| 5.1.3 建立和保持时间 | 第79-81页 |
| 5.1.4 移走时间和恢复时间 | 第81-82页 |
| 5.1.5 输出变换时延 | 第82页 |
| 5.1.6 在时序器件中负时序参数模型 | 第82-83页 |
| 5.1.7 负时序参数的检测方式 | 第83页 |
| 5.2 测试的功耗分析 | 第83-84页 |
| 5.3 其他版图效应对 MOSFET 的影响仿真 | 第84-89页 |
| 5.3.1 衬底邻近效应 | 第84-88页 |
| 5.3.2 应力效应的定量测试 | 第88-89页 |
| 5.4 系统仿真结果 | 第89-92页 |
| 5.5 本章总结 | 第92-93页 |
| 第六章 结束语 | 第93-95页 |
| 6.1 本文的主要工作 | 第93页 |
| 6.2 本文的创新 | 第93-94页 |
| 6.3 今后的研究内容 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第100页 |
