| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 课题的来源 | 第9-10页 |
| 1.2 课题研究的背景和意义 | 第10页 |
| 1.3 国内外研究现状及分析 | 第10-20页 |
| 1.3.1 高温无铅连接材料 | 第10-13页 |
| 1.3.2“低温连接，高温服役”型互连材料工艺及性能 | 第13-17页 |
| 1.3.3 连接高温SiC芯片性能 | 第17页 |
| 1.3.4 纳米颗粒烧结接头力学性能及可靠性 | 第17-19页 |
| 1.3.5 纳米Cu_6Sn_5的制备方法 | 第19-20页 |
| 1.4 主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第2章 试验材料与方法 | 第22-30页 |
| 2.1 试验材料与制备 | 第22-26页 |
| 2.1.1 纳米Cu_6Sn_5的制备 | 第22-23页 |
| 2.1.2 纳米Cu_6Sn_5焊膏的配制 | 第23-24页 |
| 2.1.3 互连烧结试样的制备 | 第24页 |
| 2.1.4 电热性能测试样品的制备 | 第24-26页 |
| 2.2 分析测试方法 | 第26-30页 |
| 2.2.1 纳米Cu_6Sn_5颗粒及纳米焊膏的表征 | 第26页 |
| 2.2.2 互连接头力学性能测试 | 第26-27页 |
| 2.2.3 电性能测试方法 | 第27-28页 |
| 2.2.4 热性能测试方法 | 第28-29页 |
| 2.2.5 可靠性测试方法 | 第29-30页 |
| 第3章 纳米Cu_6Sn_5焊膏烧结互连工艺探究 | 第30-42页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 纳米Cu_6Sn_5焊膏的配制 | 第30-33页 |
| 3.2.1 纳米Cu_6Sn_5的制备与表征 | 第30-31页 |
| 3.2.2 纳米Cu_6Sn_5焊膏中钎剂的选择 | 第31-33页 |
| 3.3 纳米Cu_6Sn_5焊膏的配方优化 | 第33-35页 |
| 3.3.1 Sn添加量对接头强度的影响 | 第33-34页 |
| 3.3.2 表面活性剂对接头强度的影响 | 第34-35页 |
| 3.4 纳米Cu_6Sn_5焊膏烧结工艺优化 | 第35-39页 |
| 3.4.1 烧结时间对烧结接头强度的影响 | 第36页 |
| 3.4.2 烧结压力对烧结接头强度的影响 | 第36-38页 |
| 3.4.3 烧结温度对烧结接头强度的影响 | 第38-39页 |
| 3.5 烧结接头剪切断口形貌分析 | 第39-40页 |
| 3.6 互连接头界面形貌分析 | 第40-41页 |
| 3.7 本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 纳米Cu_6Sn_5焊膏连接MOSFET器件性能评价 | 第42-60页 |
| 4.1 引言 | 第42-43页 |
| 4.2 MOSFET器件的导通性能测试 | 第43-47页 |
| 4.2.1 器件体二极管的导通测试 | 第43-44页 |
| 4.2.2 器件输出性能测试 | 第44-47页 |
| 4.3 MOSFET器件的热性能测试 | 第47-53页 |
| 4.3.1 K因素的标定 | 第48-49页 |
| 4.3.2 瞬态热阻测试 | 第49-53页 |
| 4.4 纳米Cu_6Sn_5连接SiC单芯片界面分析 | 第53页 |
| 4.5 纳米Cu_6Sn_5作为连接材料连接SiC高温半桥模块初探 | 第53-58页 |
| 4.5.1 SiC高温半桥模块设计 | 第54-55页 |
| 4.5.2 半桥模块高温输出性能测试 | 第55-57页 |
| 4.5.3 半桥模块高温漏电流测试 | 第57-58页 |
| 4.6 本章小结 | 第58-60页 |
| 第5章 MOSFET器件中芯片粘接可靠性评估 | 第60-66页 |
| 5.1 引言 | 第60页 |
| 5.2 温度循环试验 | 第60-62页 |
| 5.3 高温存储试验 | 第62-64页 |
| 5.4 关于连接可靠性的改善建议 | 第64-65页 |
| 5.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
