| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 课题相关背景介绍 | 第5-10页 |
| 1.1 课题背景 | 第5-6页 |
| 1.2 良率工程 | 第6-8页 |
| 1.3 课题的提出 | 第8-9页 |
| 1.4 论文主要内容 | 第9-10页 |
| 第二章 课题相关工艺技术 | 第10-25页 |
| 2.1 缺陷的检测与分析 | 第10-17页 |
| 2.1.1 缺陷的检测 | 第11-14页 |
| 2.1.2 缺陷的分析 | 第14-17页 |
| 2.2 洗边工艺 | 第17-20页 |
| 2.3 晶背湿法刻蚀工艺 | 第20-25页 |
| 2.3.1 湿法刻蚀工艺 | 第20-21页 |
| 2.3.2 刻蚀工艺参数 | 第21-22页 |
| 2.3.3 晶背湿法刻蚀 | 第22-25页 |
| 第三章 0.18微米SOC晶边硅剥落的研究 | 第25-40页 |
| 3.1 概况描述 | 第25-28页 |
| 3.2 产生晶边硅剥落的工艺站点 | 第28-33页 |
| 3.3 推导晶边硅剥落的失效模型 | 第33-39页 |
| 3.4 小结 | 第39-40页 |
| 第四章 0.18微米SOC晶边硅剥落解决方法的研究 | 第40-57页 |
| 4.1 增加清洗站点改善晶边硅剥落 | 第40-43页 |
| 4.2 洗边工艺的优化研究 | 第43-48页 |
| 4.3 晶背湿法刻蚀的优化研究 | 第48-56页 |
| 4.4 小结 | 第56-57页 |
| 总结与展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |