| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 1 引言 | 第9-24页 |
| ·短波红外探测器的应用 | 第9-10页 |
| ·铟镓砷探测器研究进展和关键工艺 | 第10-14页 |
| ·铟镓砷探测器的优点 | 第10-11页 |
| ·铟镓砷探测器的研究进展 | 第11-12页 |
| ·探测器制备涉及的关键工艺 | 第12-14页 |
| ·台面刻蚀关键工艺 | 第14-21页 |
| ·刻蚀的方法和分类 | 第14-18页 |
| ·耦合等离子体（ICP）刻蚀 | 第18-20页 |
| ·台面刻蚀研究的国内外进展 | 第20-21页 |
| ·延伸波长铟镓砷探测器台面刻蚀 | 第21-22页 |
| ·本论文的研究目的和主要内容 | 第22-24页 |
| 2 基于Cl_2/N_2的台面刻蚀探索及器件验证研究 | 第24-36页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·实验 | 第24-26页 |
| ·正交试验方法 | 第24-25页 |
| ·实验设计 | 第25-26页 |
| ·刻蚀结果分析和讨论 | 第26-29页 |
| ·刻蚀损伤表征和器件验证 | 第29-35页 |
| ·实验步骤及结果分析 | 第29-30页 |
| ·PL光谱特性 | 第30-31页 |
| ·器件电流电压特性 | 第31-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 3 基于Cl_2/CH_4/H_2的台面刻蚀优化研究 | 第36-46页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·刻蚀实验与结果分析 | 第36-45页 |
| ·正交试验及结果 | 第37-43页 |
| ·正方试验及结果 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 4 材料表面缺陷的导电AFM表征及器件验证 | 第46-53页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·C-AFM原理和研究进展 | 第46-47页 |
| ·材料缺陷的C-AFM表征 | 第47-49页 |
| ·器件验证 | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 5 全文总结与展望 | 第53-55页 |
| ·全文总结 | 第53页 |
| ·展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第58页 |