| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 文献综述与选题依据 | 第9-29页 |
| ·化学机械抛光的发展进程 | 第9-12页 |
| ·化学机械抛光的起源及研究进展 | 第9-10页 |
| ·电化学-CMP(ECMP) | 第9-10页 |
| ·固定研磨料-CMP(FA-CMP) | 第10页 |
| ·无磨料-CMP(AF-CMP) | 第10页 |
| ·CMP浆料的研究现状和发展趋势 | 第10-12页 |
| ·单磨料CMP浆料 | 第10-11页 |
| ·混合磨料CMP浆料 | 第11页 |
| ·复合磨料CMP浆料 | 第11-12页 |
| ·化学机械抛光的去除机理 | 第12-15页 |
| ·硅片化学机械抛光中的化学反应机理 | 第15-16页 |
| ·光学玻璃化学机械抛光中的化学反应机理 | 第16-17页 |
| ·TiO_2核壳结构复合材料的研究进展 | 第17-25页 |
| ·单质为壳的二氧化钛基核壳复合材料 | 第18-19页 |
| ·无机氧化物为壳的二氧化钛基核壳复合材料 | 第19-23页 |
| ·聚合物为壳的二氧化钛基核壳复合材料 | 第23-24页 |
| ·杂化材料为壳的二氧化钛基核壳复合材料 | 第24-25页 |
| ·核壳结构复合材料的表征手段 | 第25-27页 |
| ·本研究的立项依据及主要研究内容 | 第27-29页 |
| ·立项依据和意义 | 第27-28页 |
| ·主要研究内容 | 第28-29页 |
| 第二章 锐钛型二氧化钛对硅片抛光性能的研究 | 第29-43页 |
| ·前言 | 第29-30页 |
| ·实验 | 第30-32页 |
| ·主要试剂及仪器 | 第30-31页 |
| ·抛光浆料的配制 | 第31页 |
| ·硅晶片的抛光 | 第31-32页 |
| ·结果与讨论 | 第32-42页 |
| ·浆料pH值对硅晶片材料去除速率的影响 | 第32-34页 |
| ·浆料中MEA的浓度对硅晶片材料去除速率的影响 | 第34-38页 |
| ·浆料中TiO_2浓度对硅晶片材料去除速率的影响 | 第38-39页 |
| ·在不同pH值条件下,MEA对浆料悬浮性和材料去除速率的影响 | 第39-40页 |
| ·抛光后,硅晶片的表面质量 | 第40-41页 |
| ·TiO_2和纳米CeO_2对硅晶片抛光性能的比较 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第三章 锐钛型二氧化钛对光学玻璃抛光性能的研究 | 第43-51页 |
| ·前言 | 第43-44页 |
| ·实验部分 | 第44-45页 |
| ·主要试剂及仪器 | 第44-45页 |
| ·抛光浆料的配制 | 第45页 |
| ·光学玻璃的抛光 | 第45页 |
| ·结果与讨论 | 第45-50页 |
| ·浆料pH值对光学玻璃材料去除速率的影响 | 第45-47页 |
| ·浆料中TiO_2固含量对光学玻璃材料去除速率的影响 | 第47-48页 |
| ·不同磨料粒子对光学玻璃抛光性能的影响 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 钛铈核壳结构复合磨料对硅片抛光性能的研究 | 第51-63页 |
| ·前言 | 第51-52页 |
| ·实验部分 | 第52-53页 |
| ·主要试剂及仪器 | 第52页 |
| ·钛铈核壳结构复合粉体的合成 | 第52页 |
| ·复合粉体的表征方法 | 第52-53页 |
| ·抛光浆料的配制 | 第53页 |
| ·硅晶片的抛光 | 第53页 |
| ·结果与讨论 | 第53-61页 |
| ·复合粉体的XRD分析 | 第53-54页 |
| ·复合粉体的SEM分析 | 第54-55页 |
| ·复合粉体的TEM分析 | 第55-56页 |
| ·煅烧温度对材料去除速率的影响 | 第56-57页 |
| ·复合粉体中CeO_2与TiO_2的质量比对材料去除速率的影响 | 第57-58页 |
| ·制备过程中Ce~(3+)水解pH值对材料去除速率的影响 | 第58页 |
| ·浆料pH值对材料去除速率的影响 | 第58-59页 |
| ·固含量对材料去除速率的影响 | 第59-60页 |
| ·复合粉体在抛光过程中的机理研究 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 总结 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第71页 |
