集成电路工艺浮动的模型和算法研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 引言：半导体行业中的工艺浮动及其研究 | 第10-49页 |
| ·工艺尺寸减小带来的可靠性和可制造性问题 | 第10-14页 |
| ·工艺浮动的来源和分类 | 第14-26页 |
| ·工艺浮动的主要来源 | 第15-23页 |
| ·工艺浮动的分类和片内浮动的空间相关性 | 第23-26页 |
| ·工艺浮动的主要研究内容 | 第26-38页 |
| ·系统性工艺浮动的研究内容 | 第27-29页 |
| ·随机性工艺浮动的研究内容 | 第29-38页 |
| ·EDA领域研究随机性工艺浮动的一些基本技术 | 第38-46页 |
| ·蒙特卡洛分析 | 第38-40页 |
| ·响应表面模型和实验设计 | 第40-42页 |
| ·矩匹配技术 | 第42-44页 |
| ·空间相关性的建模和主成分分析 | 第44-46页 |
| ·本论文工作的组织结构和主要贡献 | 第46-49页 |
| 第2章 用于统计性时序分析的门延时模型 | 第49-81页 |
| ·研究背景：SSTA和统计性门延时模型的提取 | 第49-55页 |
| ·利用有效维度降低技术减少门延时模型中的随机变量 | 第55-61页 |
| ·有效维度降低技术 | 第55-58页 |
| ·在统计性门延时建模中的有效维度降低 | 第58-61页 |
| ·基于人工神经网络的统计性门延时模型 | 第61-65页 |
| ·采用有效维度方向的统计性物理可理解门延时模型 | 第65-73页 |
| ·确定性的物理可理解门延时模型 | 第65-67页 |
| ·适用于类反相器型的门电路的统计性CGDM | 第67-70页 |
| ·适用于级联的门电路的统计性CGDM | 第70-71页 |
| ·通过统计性CGDM获得2-RSM门延时模型 | 第71-73页 |
| ·实验结果和讨论 | 第73-79页 |
| ·关于有效维度方向2-RSM门延时模型的基本结果 | 第73-74页 |
| ·统计性门延时模型的结果 | 第74-77页 |
| ·关于有效维度方向提取的讨论 | 第77-79页 |
| ·本章小结 | 第79-81页 |
| 第3章 快速统计性漏电流分析 | 第81-118页 |
| ·研究背景：统计性漏电流分析问题 | 第81-86页 |
| ·器件参数的空间相关性和快速矩阵向量积技术 | 第86-89页 |
| ·全芯片漏电流二阶矩的快速计算 | 第89-102页 |
| ·利用Taylor级数展开进行二阶矩的快速计算 | 第89-95页 |
| ·利用平均效应进行二阶矩的快速计算 | 第95-102页 |
| ·基于共单调性的全芯片漏电流近似 | 第102-110页 |
| ·用条件期望取得共单调的随机变量 | 第103-105页 |
| ·一个改进的共单调性近似方法 | 第105-110页 |
| ·实验结果和讨论 | 第110-116页 |
| ·本章小结 | 第116-118页 |
| 第4章 空间相关性信息的可靠分析 | 第118-148页 |
| ·研究背景：硅片数据和空间相关性 | 第118-123页 |
| ·空间相关性的提取方法 | 第123-131页 |
| ·分别提取和kriging模型 | 第123-126页 |
| ·利用Lasso技术改进空间统计学模型 | 第126-131页 |
| ·求解引入规范因子的空间统计学模型 | 第131-141页 |
| ·求解的整体流程 | 第131-134页 |
| ·最小角回归技术 | 第134-138页 |
| ·选择L_1规范因子的权重 | 第138-141页 |
| ·实验结果和讨论 | 第141-146页 |
| ·本章小结 | 第146-148页 |
| 第5章 结论与展望 | 第148-151页 |
| 参考文献 | 第151-169页 |
| 致谢 | 第169-171页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第171-172页 |
