SOI硅光衰减器及硅微通道打拿极的初步研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| ·VOA在全光网络中的应用 | 第10-13页 |
| ·VOA的主要实现技术 | 第13-15页 |
| ·微通道板打拿极 | 第15-19页 |
| ·本论文主要工作 | 第19-21页 |
| 第二章 VOA和打拿极的原理及制备 | 第21-28页 |
| ·VOA芯片的工作原理 | 第21-22页 |
| ·VOA芯片的实验设备与原理 | 第22-24页 |
| ·氧化光刻 | 第22-23页 |
| ·湿法刻蚀 | 第23-24页 |
| ·打拿极原理 | 第24页 |
| ·打拿极的试验设备与原理 | 第24-27页 |
| ·低压化学汽相淀积(LPCVD) | 第24-25页 |
| ·快速热处理技术 | 第25-26页 |
| ·扫描电子显微镜原理 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 悬臂梁型光衰减器的设计制作 | 第28-44页 |
| ·悬臂梁型VOA的理论依据 | 第28-29页 |
| ·悬臂梁型VOA的分析及其模拟 | 第29-31页 |
| ·悬臂梁型VOA的结构设计 | 第31-32页 |
| ·悬臂梁型VOA的制备工艺流程 | 第32-35页 |
| ·VOA的工艺参数讨论 | 第35-37页 |
| ·VOA芯片衬底腐蚀 | 第36页 |
| ·VOA芯片释放悬臂梁和镜面 | 第36-37页 |
| ·VOA封装及光路调节 | 第37-42页 |
| ·VOA封装 | 第37-40页 |
| ·VOA光路调节和对准 | 第40-42页 |
| ·VOA测试及分析 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 连续打拿极的原理及材料分析 | 第44-55页 |
| ·次级电子发射理论 | 第44页 |
| ·微通道内二次电子发射 | 第44-46页 |
| ·微通道板特征参数 | 第46-50页 |
| ·微通道板结构尺寸 | 第46-48页 |
| ·微通道板增益 | 第48-49页 |
| ·硅微通道板打拿极的导电层电阻 | 第49页 |
| ·微通道板体电阻 | 第49-50页 |
| ·AT-MCP内壁连续打拿极材料 | 第50-54页 |
| ·传统玻璃微通道板连续打拿极 | 第50-51页 |
| ·硅微通道板打拿极导电层 | 第51-52页 |
| ·连续打拿极发射层 | 第52-53页 |
| ·关于硅微通道板体导电模式讨论 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 连续打拿极的制备及测试 | 第55-64页 |
| ·硅基微通道板样品 | 第55-56页 |
| ·导电层多晶硅薄膜的淀积 | 第56-60页 |
| ·多晶硅薄膜的厚度 | 第57-58页 |
| ·多晶硅薄膜在通道内的均匀分布 | 第58-59页 |
| ·多晶硅薄膜方块电阻 | 第59-60页 |
| ·二次电子发射层的形成 | 第60页 |
| ·微通道板电极的形成 | 第60-61页 |
| ·实验样品测试及分析 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 第六章 小结及展望 | 第64-66页 |
| ·小结 | 第64-65页 |
| ·展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
