| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 功率电子技术的发展 | 第11-12页 |
| 1.2 SPIC 的现状 | 第12-13页 |
| 1.3 高低压隔离技术 | 第13-14页 |
| 1.4 高低压兼容制造工艺 | 第14页 |
| 1.5 电路模拟及器件模型简介 | 第14-19页 |
| 1.5.1 器件模型分类 | 第16-18页 |
| 1.5.2 模型质量评价 | 第18-19页 |
| 1.6 本课题的主要研究工作 | 第19-20页 |
| 第二章 高低压 CMOS 兼容工艺和器件结构 | 第20-27页 |
| 2.1 新型高低压 CMOS 兼容工艺简介 | 第20页 |
| 2.2 工艺流程 | 第20-23页 |
| 2.3 MOS 器件仿真结构 | 第23-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 MOS 器件模型及模型参数提取 | 第27-56页 |
| 3.1 器件集约模型 | 第27-39页 |
| 3.1.1 集约模型的发展 | 第27-28页 |
| 3.1.2 第一代伯克利模型 | 第28-30页 |
| 3.1.3 Bsim 模型 | 第30-31页 |
| 3.1.4 Bsim3v3 物理模型详解 | 第31-39页 |
| 3.2 器件建模流程 | 第39-40页 |
| 3.3 器件特性测试 | 第40-43页 |
| 3.4 数据拟合及模型参数提取 | 第43-53页 |
| 3.4.1 提取大尺寸器件的相关参数 | 第44-47页 |
| 3.4.2 提取与短沟道效应有关的参数 | 第47-48页 |
| 3.4.3 提取衬底电容相关参数 | 第48-49页 |
| 3.4.4 提取与窄沟道效应有关的参数 | 第49-50页 |
| 3.4.5 提取与短沟道和窄沟道都相关的参数 | 第50-51页 |
| 3.4.6 提取无衬偏时饱和区特性相关的参数 | 第51页 |
| 3.4.7 提取有衬偏时饱和区特性相关的参数 | 第51-52页 |
| 3.4.8 提取大尺寸器件的温度相关参数 | 第52页 |
| 3.4.9 提取不同器件尺寸的温度相关系数 | 第52-53页 |
| 3.4.10 提取载流子速度的温度相关系数 | 第53页 |
| 3.5 拟合结果 | 第53-54页 |
| 3.6 工艺角模型 | 第54-55页 |
| 3.7 本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 基于遗传算法的 MOSFET Bsim3v3 模型参数提取 | 第56-64页 |
| 4.1 遗传算法原理及实现方式 | 第57-61页 |
| 4.1.1 遗传算法简介 | 第57-59页 |
| 4.1.2 遗传算法在模型参数提取工作中的应用 | 第59-61页 |
| 4.2 结果及讨论 | 第61-63页 |
| 4.3 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 总结 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 附录 | 第69-76页 |