| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 等离子体技术的工业应用 | 第10-12页 |
| 1.2 加工基板偏压研究进展 | 第12-13页 |
| 1.3 脉冲调制等离子体研究进展 | 第13-15页 |
| 1.4 离子能量和角度分布研究进展 | 第15-19页 |
| 1.5 本文研究内容和结构安排 | 第19-20页 |
| 2 数值模型介绍 | 第20-27页 |
| 2.1 反应器模型 | 第20-24页 |
| 2.2 鞘层混合模型 | 第24-27页 |
| 2.2.1 流体模型 | 第24-25页 |
| 2.2.2 蒙特卡洛方法 | 第25-27页 |
| 3 脉冲偏压Ar/C_4F_8等离子体的多尺度模拟 | 第27-36页 |
| 3.1 离子能量分布(IED) | 第28-31页 |
| 3.1.1 脉冲偏压波形对lED的影响 | 第28-29页 |
| 3.1.2 放电参数对IED的影响 | 第29-31页 |
| 3.2 离子角度分布(IAD) | 第31-35页 |
| 3.2.1 脉冲偏压波形对IAD的影响 | 第31-33页 |
| 3.2.2 放电参数对IAD的影响 | 第33-35页 |
| 3.3 本章小结 | 第35-36页 |
| 4 脉冲调制射频Ar/Cl_2等离子体的多尺度模拟 | 第36-50页 |
| 4.1 放电参数对离子密度分布的影响 | 第37-41页 |
| 4.2 离子能量分布和角度分布(IEAD) | 第41-49页 |
| 4.2.1 脉冲偏压波形的影响 | 第41-43页 |
| 4.2.2 放电参数的影响 | 第43-49页 |
| 4.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 结论与展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |