| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 欧姆接触 | 第9-14页 |
| 1.2.1 欧姆接触理论 | 第9-13页 |
| 1.2.2 欧姆接触测试 | 第13-14页 |
| 1.3 金属Al电极制备 | 第14-18页 |
| 1.3.1 磁控溅射制备Al电极 | 第14-16页 |
| 1.3.2 真空蒸镀制备Al电极 | 第16页 |
| 1.3.3 Al-Si接触性能 | 第16-18页 |
| 1.4 光电探测器简介 | 第18-19页 |
| 1.5 课题组前期工作 | 第19-20页 |
| 1.6 论文的主要工作 | 第20-21页 |
| 第二章 实验仪器和表征方法 | 第21-33页 |
| 2.1 去离子水制备设备及基片清洗 | 第21-23页 |
| 2.1.1 去离子水制备设备 | 第21-22页 |
| 2.1.2 基片清洗方法 | 第22-23页 |
| 2.2 磁控溅射设备及原理 | 第23-26页 |
| 2.2.1 FJL560 Ⅲ型超高真空磁控与离子束联合溅射设备 | 第23-24页 |
| 2.2.2 真空系统 | 第24页 |
| 2.2.3 磁控溅射原理简介 | 第24-26页 |
| 2.3 材料测试表征方法 | 第26-33页 |
| 2.3.1 原子力显微镜 | 第26-27页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 | 第27-29页 |
| 2.3.3 拉曼光谱 | 第29-31页 |
| 2.3.4 电化学工作站 | 第31-32页 |
| 2.3.5 快速退火炉 | 第32-33页 |
| 第三章 磁控溅射制备小尺寸Ge点 | 第33-39页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 磁控溅射制备Ge点 | 第33-39页 |
| 3.2.0 沉积速率与厚度选择 | 第34-35页 |
| 3.2.1 量子点形貌表征 | 第35-37页 |
| 3.2.2 拉曼测试表征 | 第37-39页 |
| 第四章 直流磁控溅射制备欧姆接触Al膜 | 第39-50页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 设备问题检修 | 第39-41页 |
| 4.2.1 设备漏气情况检修 | 第39-40页 |
| 4.2.2 磁控溅射加热温度调校 | 第40-41页 |
| 4.3 溅射功率对Al膜质量的影响 | 第41-44页 |
| 4.4 沉积厚度对Al膜质量的影响 | 第44-46页 |
| 4.5 退火温度对Al膜质量的影响 | 第46-48页 |
| 4.6 欧姆接触测试 | 第48-50页 |
| 第五章 PIN结构光电探测器件的试制 | 第50-64页 |
| 5.1 引言 | 第50页 |
| 5.2 探测器器件结构选择 | 第50-52页 |
| 5.3 器件制备过程 | 第52-64页 |
| 5.3.1 掺杂P型层的制备 | 第52-55页 |
| 5.3.2 器件 | 第55-57页 |
| 5.3.3 器件 | 第57-58页 |
| 5.3.4 器件 | 第58-60页 |
| 5.3.5 器件 | 第60-64页 |
| 第六章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 6.1 总结 | 第64-65页 |
| 6.2 展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-73页 |
| 附录 研究生期间发表的文章及参与的项目 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |