| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·AlN材料的特性 | 第8-10页 |
| ·AlN材料的制备 | 第10-11页 |
| ·AlN材料的应用 | 第11-12页 |
| ·论文的主要工作 | 第12-13页 |
| ·本章小结 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-16页 |
| 第2章 AlN薄膜的CVD生长 | 第16-27页 |
| ·CVD外延生长原理 | 第16-17页 |
| ·Si(111)衬底上AlN薄膜的生长 | 第17-22页 |
| ·薄膜生长原理 | 第17-19页 |
| ·Si(111)衬底上外延生长AlN所存在的困难和对策 | 第19-22页 |
| ·复合型CVD生长系统简介 | 第22-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-27页 |
| 第3章 Si衬底上AlN薄膜的外延生长研究 | 第27-41页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·样品制备及表征 | 第27-29页 |
| ·外延层生长温度对AlN外延层晶体质量的影响 | 第29-34页 |
| ·外延层生长温度对AlN薄膜XRD结果的影响 | 第29-30页 |
| ·外延层生长温度对AlN薄膜SEM结果的影响 | 第30-32页 |
| ·外延层生长温度对AlN薄膜拉曼散射结果的影响 | 第32-34页 |
| ·外延层生长时间对AlN外延层晶体质量的影响 | 第34-37页 |
| ·外延层生长时间对AlN样品的XRD结果的影响 | 第34-35页 |
| ·外延层生长时间对AlN样品SEM结果的影响 | 第35-37页 |
| ·AlN/Si(111)样品的阴极荧光研究 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |
| 第4章 AlN/Si(111)样品表面晶体质量优化研究 | 第41-51页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·样品制备 | 第42-43页 |
| ·成核层生长时间对外延薄膜晶体质量的影响 | 第43-45页 |
| ·成核层生长时间对AlN样品XRD结果的影响 | 第43-44页 |
| ·成核层生长时间对AlN样品的SEM结果的影响 | 第44-45页 |
| ·成核层Ⅴ/Ⅲ比对外延薄膜晶体质量的影响 | 第45-47页 |
| ·成核层Ⅴ/Ⅲ比对AlN样品XRD结果的影响 | 第45-46页 |
| ·成核层Ⅴ/Ⅲ比对AlN样品SEM结果的影响 | 第46-47页 |
| ·低速生长的AlN/Si(111)样品的表面晶体质量的研究 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |
| 第5章 结论 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 硕士期间发表论文 | 第54-55页 |
