硅衬底中的应变对其热氧化速率的影响
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-27页 |
| ·应变硅技术的研究背景 | 第10-12页 |
| ·传统工艺面临的问题 | 第10-11页 |
| ·应变硅技术的提出 | 第11-12页 |
| ·应变硅技术的研究意义 | 第12页 |
| ·应变硅技术简介 | 第12-19页 |
| ·应变硅中载流子的输运特性 | 第13-16页 |
| ·全局应变技术 | 第16-17页 |
| ·局部应变技术 | 第17-18页 |
| ·应变硅技术的发展与应用前景 | 第18-19页 |
| ·本论文的研究内容和论文结构 | 第19-21页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第19-20页 |
| ·论文结构 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-27页 |
| 第二章 硅的热氧化 | 第27-34页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·硅的热氧化原理 | 第27-31页 |
| ·硅热氧化的化学模型 | 第27-28页 |
| ·硅热氧化的物理模型 | 第28-31页 |
| ·硅的薄氧化膜生长 | 第31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-34页 |
| 第三章 机械应变下硅MOS结构的制备 | 第34-45页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·应变装置 | 第34-39页 |
| ·施加机械应变的原理 | 第34-37页 |
| ·应力大小的计算 | 第37-39页 |
| ·实验设计 | 第39-43页 |
| ·硅片清洗工艺 | 第39-40页 |
| ·施加机械应变后硅的热氧化 | 第40-41页 |
| ·金属铝薄膜的沉积 | 第41页 |
| ·光刻技术 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第四章 MOS结构电容-电压特性 | 第45-59页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·理想MOS结构的C-V特性 | 第45-49页 |
| ·机械应变下的硅MOS结构C-V特性 | 第49-57页 |
| ·单轴应变下的硅MOS电容C-V特性 | 第49-54页 |
| ·双轴应变下的硅MOS电容C-V特性 | 第54-56页 |
| ·结论 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第五章 结论与展望 | 第59-61页 |
| ·论文主要工作总结 | 第59-60页 |
| ·研究展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第62-63页 |
