| 目录 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 文献综述 | 第7-19页 |
| §1.1 引言 | 第7-10页 |
| §1.1.1 Cu互连工艺概况及展望 | 第9-10页 |
| §1.1.2 Cu互连工艺中阻挡层的应用 | 第10页 |
| §1.2 原子层淀积方法(ALD)生长金属Ru | 第10-16页 |
| §1.2.1 Ru的应用及不同生长方法 | 第10-12页 |
| §1.2.2 ALD的自限制生长 | 第12-15页 |
| §1.2.3 ALD生长Ru的研究现况 | 第15-16页 |
| §1.3 Cu/NiSi接触工艺 | 第16-18页 |
| §1.3.1 采用Cu/NiSi接触的无塞工艺及其优点 | 第16-18页 |
| §1.4 本论文的内容安排 | 第18-19页 |
| 第二章 薄膜样品制备及测试表征手段 | 第19-27页 |
| §2.1 硅片清洗 | 第19页 |
| §2.2 实验设备 | 第19-21页 |
| §2.3 薄膜制备流程 | 第21页 |
| §2.3 材料表征手段 | 第21-27页 |
| §2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第22页 |
| §2.3.2 X射线光电能谱(XPS) | 第22-24页 |
| §2.3.3 俄歇电子能谱(AES) | 第24页 |
| §2.3.4 扫描电子显微镜(SEM) | 第24页 |
| §2.3.5 透射电子显微镜(TEM) | 第24-25页 |
| §2.3.6 电学测试(FPP/Ⅰ-Ⅴ) | 第25页 |
| §2.3.7 深能级瞬态谱(DLTS) | 第25-27页 |
| 第三章 ALD方法制备金属Ru薄膜研究 | 第27-41页 |
| §3.1 引言 | 第27-28页 |
| §3.2 ALD工艺窗口的确定 | 第28页 |
| §3.3 各种预处理对ALD生长Ru薄膜的改善情况 | 第28-33页 |
| §3.3.1 对Si衬底及SiO_2衬底的通水汽/丙酮/AuCl_2等预处理 | 第29-31页 |
| §3.3.2 对TaN衬底的PVD超薄Ru预淀积处理 | 第31-32页 |
| §3.3.3 对TaN衬底的Ar~+轰击预处理 | 第32-33页 |
| §3.4 各种预处理对ALD方法生长Ru薄膜成核情况的改善原因探讨 | 第33-37页 |
| §3.5 ALD方法生长的Ru薄膜的特性研究 | 第37-40页 |
| §3.6 小结与应用展望 | 第40-41页 |
| 第四章 Cu/NiSi接触的扩散阻挡层及其性能研究 | 第41-78页 |
| §4.1 引言 | 第41页 |
| §4.2 实验过程 | 第41-43页 |
| §4.3 Cu/Si体系及Cu/NiSi/Si体系的反应特性研究 | 第43-49页 |
| §4.4 Ta/TaN复合扩散阻挡层体系 | 第49-63页 |
| §4.4.1 NiSi表面未经HF预处理的Cu/Ta/TaN/NiSi/Si体系 | 第49-55页 |
| §4.4.2 NiSi经HF表面预处理后的Cu/Ta/TaN/NiSi/Si体系 | 第55-63页 |
| §4.5 Ru/TaN复合扩散阻挡层体系 | 第63-75页 |
| §4.5.1 NiSi表面未经HF预处理的Cu/Ru/TaN/NiSi/Si体系 | 第63-69页 |
| §4.5.2 NiSi经HF表面预处理后的Cu/Ru/TaN/NiSi/Si体系 | 第69-75页 |
| §4.6 Ta/TaN体系与Ru/TaN体系的比较 | 第75页 |
| §4.7 DLTS测试 | 第75-77页 |
| §4.8 小结与应用展望 | 第77-78页 |
| 第五章 全文总结 | 第78-80页 |
| §5.1 全文主要结论 | 第78-79页 |
| §5.2 展望 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 硕士期间发表的相关论文 | 第84-85页 |
