| 致谢 | 第5-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 1 绪论 | 第15-31页 |
| 1.1 研究背景 | 第15-18页 |
| 1.2 研究历史和现状 | 第18-28页 |
| 1.2.1 硅通孔技术 | 第18-21页 |
| 1.2.2 硅通孔技术改进方法 | 第21-26页 |
| 1.2.3 三维集成电路中的电源分配网络 | 第26-28页 |
| 1.3 论文结构和主要创新点 | 第28-31页 |
| 2 硅通孔建模和特性研究 | 第31-63页 |
| 2.1 硅通孔阵列建模 | 第31-36页 |
| 2.2 硅通孔对的电学特性 | 第36-43页 |
| 2.2.1 等效集总参数 | 第37-41页 |
| 2.2.2 传输特性 | 第41-43页 |
| 2.3 硅通孔多物理场特性研究 | 第43-61页 |
| 2.3.1 多物理场计算方法 | 第43-52页 |
| 2.3.2 多物理场大规模并行计算框架 | 第52-53页 |
| 2.3.3 算法验证 | 第53-55页 |
| 2.3.4 多物理场特性分析 | 第55-61页 |
| 2.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 3 玻璃通孔特性研究 | 第63-75页 |
| 3.1 等效电路建模 | 第63-65页 |
| 3.2 电学特性 | 第65-67页 |
| 3.3 多物理场特性 | 第67-74页 |
| 3.3.1 玻璃通孔阵列 | 第67-69页 |
| 3.3.2 玻璃通孔链路 | 第69-71页 |
| 3.3.3 大规模玻璃通孔链路 | 第71-74页 |
| 3.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 4 聚合物绝缘层硅通孔特性研究 | 第75-91页 |
| 4.1 电学特性 | 第75-81页 |
| 4.1.1 BCB绝缘层硅通孔 | 第77-79页 |
| 4.1.2 Parylene-HT绝缘层硅通孔 | 第79-81页 |
| 4.2 多物理场特性 | 第81-89页 |
| 4.2.1 硅通孔阵列 | 第81-85页 |
| 4.2.2 硅通孔链路 | 第85-87页 |
| 4.2.3 大规模硅通孔链路 | 第87-89页 |
| 4.3 本章小结 | 第89-91页 |
| 5 聚合物填充硅通孔特性研究 | 第91-99页 |
| 5.1 结构描述 | 第92-93页 |
| 5.2 硅通孔阵列 | 第93-96页 |
| 5.3 硅通孔链路 | 第96-98页 |
| 5.4 本章小结 | 第98-99页 |
| 6 基于碳纳米管硅通孔的电源分配网络建模方法和特性研究 | 第99-119页 |
| 6.1 电源分配网络结构 | 第100-101页 |
| 6.2 碳纳米管硅通孔 | 第101-109页 |
| 6.2.1 等效复电导率 | 第101-105页 |
| 6.2.2 电学性能 | 第105-109页 |
| 6.3 片上电源分配网络 | 第109-111页 |
| 6.4 碳纳米管硅通孔对电源分配网络系统的影响 | 第111-118页 |
| 6.5 本章小结 | 第118-119页 |
| 7 总结与展望 | 第119-121页 |
| 7.1 论文总结 | 第119-120页 |
| 7.2 未来工作展望 | 第120-121页 |
| 参考文献 | 第121-133页 |
| 作者简历 | 第133-134页 |