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温度与误码率敏感的3D IC测试与DVFS技术研究

致谢第7-8页
摘要第8-9页
abstract第9页
第一章 绪论第14-22页
    1.1 研究背景第14-17页
    1.2 研究目的和意义第17-19页
    1.3 国内外的研究现状第19页
    1.4 论文内容概述及本文的章节安排第19-22页
第二章 基于TSV的3D堆叠集成电路测试技术介绍第22-45页
    2.1 三维集成电路的测试挑战第22-32页
        2.1.1 3D ICs:制造第22-24页
        2.1.2 3D集成测试挑战第24-26页
        2.1.3 KGD晶圆级测试和老化第26-27页
        2.1.4 3D IC可测性设计第27-32页
    2.2 测试研究基本内容介绍第32-34页
        2.2.1 绑定中测试第32页
        2.2.2 绑定中测试研究第32-34页
    2.3 基于TSV的2.5D和3D堆叠芯片的挑战和新出现的解决方案第34-43页
        2.3.1 基于TSV的2.5D和3D SICs第34-36页
        2.3.2 3D测试流程第36-39页
        2.3.3 3D测试内容第39-41页
        2.3.4 3D测试访问第41-43页
    2.4 本章小结第43-45页
第三章 动态电压和频率缩放技术概述第45-51页
    3.1 动态电压和频率缩放(DVFS)技术研究背景第45-47页
    3.2 动态电压和频率缩放(DVFS)技术的研究目的与意义第47-48页
    3.3 国内外动态电压和频率缩放(DVFS)技术的研究现状第48-49页
    3.4 低功耗的嵌入式GPU的动态电压和频率缩放(DVFS)框架介绍第49-51页
        3.4.1 嵌入式GPUs的动态电压和频率缩放(DVFS)动机第49页
        3.4.2 嵌入式GPU的动态电压和频率缩放(DVFS)架构第49-50页
        3.4.3 嵌入式GPU的动态电压和频率缩放(DVFS)应用环境介绍第50-51页
第四章 基于温度和误码率感知的3D堆叠Cache DVFS方法第51-62页
    4.1 含3D堆叠Cache芯片的建模第51-54页
        4.1.1 含3D堆叠Cache的芯片温度模型第51-52页
        4.1.2 含3D堆叠Cache的芯片错误率模型第52-53页
        4.1.3 含3D堆叠Cache的芯片性能模型第53-54页
        4.1.4 含3D堆叠Cache的芯片功耗模型第54页
    4.2 含3D堆叠Cache的芯片提升性能功耗比的DVFS问题第54-55页
    4.3 实验第55-61页
        4.3.1 实验设置第55-56页
        4.3.2 实验复杂度第56-57页
        4.3.3 实验结果第57-61页
    4.4 本章小结第61-62页
第五章 总结及下一步工作第62-64页
    5.1 总结第62-63页
    5.2 下一步工作第63-64页
参考文献第64-68页
攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况第68-69页

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