一种高性能带隙基准源的设计
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 研究的背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究的发展及趋势 | 第11-13页 |
| 1.2.1 电源管理芯片的发展 | 第11页 |
| 1.2.2 带隙基准源电路的发展以及趋势 | 第11-13页 |
| 1.3 本文主要工作及结构安排 | 第13-14页 |
| 第2章 基准电压源简述 | 第14-29页 |
| 2.1 基准电压源的发展历史 | 第14-17页 |
| 2.1.1 直接采用电阻分压的基准 | 第14页 |
| 2.1.2 有源器件与电阻组成的电压源 | 第14-16页 |
| 2.1.3 齐纳基准 | 第16-17页 |
| 2.1.4 XFET基准 | 第17页 |
| 2.1.5 带隙基准 | 第17页 |
| 2.2 带隙基准的基本原理 | 第17-23页 |
| 2.2.1 与电源无关的偏置 | 第17-19页 |
| 2.2.2 与温度无关的基准 | 第19-20页 |
| 2.2.3 负温度系数电压 | 第20-21页 |
| 2.2.4 正温度系数电压 | 第21-22页 |
| 2.2.5 带隙基准 | 第22-23页 |
| 2.3 常见的带隙基准结构 | 第23-25页 |
| 2.3.1 Widlar带隙基准 | 第23-24页 |
| 2.3.2 Brokaw带隙基准 | 第24-25页 |
| 2.4 影响带隙基准源性能的非理想因素 | 第25-28页 |
| 2.4.1 电流镜的失配 | 第25-26页 |
| 2.4.2 运算放大器的失调 | 第26-27页 |
| 2.4.3 温度补偿 | 第27-28页 |
| 2.5 带隙基准的几种常见技术指标 | 第28页 |
| 2.6 本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 带隙基准各模块设计及仿真 | 第29-40页 |
| 3.1 整体电路设计思路 | 第29-30页 |
| 3.1.1 整体电路设计目标 | 第29页 |
| 3.1.2 HSPICE仿真软件和BCD工艺 | 第29-30页 |
| 3.2 整体电路设计 | 第30-31页 |
| 3.3 启动电路设计 | 第31-32页 |
| 3.4 偏置电路设计 | 第32-35页 |
| 3.5 差分运算放大电路设计 | 第35-37页 |
| 3.5.1 共模输入范围(ICMR) | 第35-36页 |
| 3.5.2 共模抑制比(CMRR) | 第36-37页 |
| 3.5.3 电源电压抑制比(PSRR) | 第37页 |
| 3.6 带隙基准电路核心基准设计 | 第37-39页 |
| 3.7 本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 总体电路的设计与仿真 | 第40-47页 |
| 4.1 基准的瞬态(TRAN)仿真 | 第40-42页 |
| 4.1.1 启动电路的仿真 | 第40-42页 |
| 4.2 基准直流(DC)特性仿真 | 第42-44页 |
| 4.2.1 电源电压特性仿真 | 第42-43页 |
| 4.2.2 温度特性仿真 | 第43-44页 |
| 4.3 带隙基准环路稳定性分析 | 第44-45页 |
| 4.4 电源抑制比仿真 | 第45-46页 |
| 4.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 结论与展望 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |