| 摘要 | 第4-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第15-22页 |
| 1.1 引言 | 第15-16页 |
| 1.2 n型透明氧化物半导体薄膜 | 第16-19页 |
| 1.3 p型透明氧化物半导体薄膜 | 第19-21页 |
| 1.4 选题意义 | 第21-22页 |
| 第二章 薄膜制备方法及其表征 | 第22-33页 |
| 2.1 薄膜的不同制备方法分类 | 第22-27页 |
| 2.1.1 磁控溅射法 | 第22页 |
| 2.1.2 金属有机物化学气相沉积法 | 第22-23页 |
| 2.1.3 分子束外延 | 第23-24页 |
| 2.1.4 溶胶凝胶法 | 第24页 |
| 2.1.5 脉冲激光沉积法 | 第24-26页 |
| 2.1.6 喷雾热解法 | 第26页 |
| 2.1.7 真空蒸镀 | 第26-27页 |
| 2.1.8 离子镀 | 第27页 |
| 2.2 磁控溅射原理和制备薄膜的实验过程 | 第27-29页 |
| 2.2.1 磁控溅射原理 | 第27-28页 |
| 2.2.2 薄膜制备的实验过程 | 第28-29页 |
| 2.3 薄膜样品的表征方法 | 第29-33页 |
| 第三章 掺镓氧化锌和掺铜氧化镍靶材的制备和性能分析 | 第33-52页 |
| 3.1 靶材的研究现状 | 第33-35页 |
| 3.1.1 靶材的类型和当前的问题 | 第33-34页 |
| 3.1.2 靶材的制备方法 | 第34-35页 |
| 3.2 靶材制备实验过程 | 第35-37页 |
| 3.3 ZnO：Ga靶材制备及性能分析 | 第37-45页 |
| 3.3.0 烧结工艺 | 第37-39页 |
| 3.3.1 不同烧结温度ZnO：Ga靶材的物相分析 | 第39-40页 |
| 3.3.2 不同烧结温度对镓锌原子掺杂比影响的分析 | 第40-42页 |
| 3.3.3 不同烧结温度对靶材致密度的影响分析 | 第42-45页 |
| 3.4 NiO：Cu靶材制备和性能分析 | 第45-51页 |
| 3.4.1 烧结工艺 | 第45-47页 |
| 3.4.2 不同烧结温度NiO：Cu靶材的物相分析 | 第47-48页 |
| 3.4.3 不同烧结温度对铜镍原子掺杂比的影响分析 | 第48-49页 |
| 3.4.4 不同烧结温度对靶材致密度的影响分析 | 第49-51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 掺镓氧化锌薄膜制备及光电特性分析 | 第52-79页 |
| 4.1 溅射功率对薄膜的影响 | 第52-65页 |
| 4.1.1 溅射功率对ZnO：Ga薄膜微结构的影响 | 第52-59页 |
| 4.1.2 溅射功率对ZnO：Ga薄膜电学性能的影响 | 第59-64页 |
| 4.1.3 溅射功率对ZnO：Ga薄膜光学性能的影响 | 第64-65页 |
| 4.2 溅射气体流量对于薄膜的影响 | 第65-68页 |
| 4.2.1 溅射气体流量与ZnO：Ga薄膜微结构的关系 | 第65-66页 |
| 4.2.2 溅射气体流量与ZnO：Ga薄膜电学性能的关系 | 第66-67页 |
| 4.2.3 溅射气体流量与ZnO：Ga薄膜光学性能的关系 | 第67-68页 |
| 4.3 溅射压强 | 第68-71页 |
| 4.3.1 溅射压强对ZnO：Ga薄膜微结构的影响 | 第68-69页 |
| 4.3.2 溅射压强对ZnO：Ga薄膜电学性能的影响 | 第69-70页 |
| 4.3.3 溅射压强对ZnO：Ga薄膜光学性能的影响 | 第70-71页 |
| 4.4 衬底温度 | 第71-74页 |
| 4.4.1 衬底温度对ZnO：Ga薄膜微结构的影响 | 第71-73页 |
| 4.4.2 衬底温度对ZnO：Ga薄膜电学性能的影响 | 第73页 |
| 4.4.3 衬底温度对ZnO：Ga薄膜光学性能的影响 | 第73-74页 |
| 4.5 氧氩比对薄膜的影响 | 第74-77页 |
| 4.6 本章小结 | 第77-79页 |
| 第五章 掺铜氧化镍薄膜制备及光电特性分析 | 第79-99页 |
| 5.1 溅射功率对薄膜的影响 | 第79-86页 |
| 5.1.1 溅射功率对NiO：Cu薄膜微结构的影响 | 第79-81页 |
| 5.1.2 溅射功率对NiO：Cu薄膜电学性能的影响 | 第81-83页 |
| 5.1.3 溅射功率对NiO：Cu薄膜光学性能的影响 | 第83-86页 |
| 5.2 衬底温度 | 第86-89页 |
| 5.2.1 衬底温度对NiO：Cu薄膜微结构的影响 | 第86-87页 |
| 5.2.2 衬底温度对NiO：Cu薄膜电学性能的影响 | 第87-88页 |
| 5.2.3 衬底温度对NiO：Cu薄膜光学性能的影响 | 第88-89页 |
| 5.3 氧氩比对薄膜的影响 | 第89-92页 |
| 5.3.1 氧氩比对NiO：Cu薄膜微结构的影响 | 第89-90页 |
| 5.3.2 氧氩比对NiO：Cu薄膜电学性能的影响 | 第90-91页 |
| 5.3.3 氧氩比对NiO：Cu薄膜光学性能的影响 | 第91-92页 |
| 5.4 多层膜的制备 | 第92-98页 |
| 5.4.1 多层膜的微观结构 | 第93-95页 |
| 5.4.2 多层膜的Ⅰ-Ⅴ曲线 | 第95-98页 |
| 5.5 本章小结 | 第98-99页 |
| 第六章 总结与展望 | 第99-101页 |
| 6.1 总结 | 第99-100页 |
| 6.2 展望 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文情况 | 第111页 |
