| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-23页 |
| 1.1 三维集成技术简介 | 第15-18页 |
| 1.1.1 三维集成电路简介 | 第15-16页 |
| 1.1.2 三维封装技术简介 | 第16-17页 |
| 1.1.3 TSV三维封装简介 | 第17-18页 |
| 1.2 三维集成电路研究现状 | 第18-19页 |
| 1.3 研究目标与主要工作 | 第19-20页 |
| 1.4 文章结构 | 第20-23页 |
| 第二章 TSV制备工艺与新型TSV简介 | 第23-35页 |
| 2.1 TSV的制备工艺 | 第23-29页 |
| 2.1.1 TSV制备流程简介 | 第23-27页 |
| 2.1.2 TSV刻蚀技术 | 第27-28页 |
| 2.1.3 三维堆叠与TSV工艺成本 | 第28-29页 |
| 2.2 TSV电学参数提取 | 第29-31页 |
| 2.3 共轴耦合/air gap TSV简介 | 第31-33页 |
| 2.3.1 共轴耦合TSV简介 | 第31页 |
| 2.3.2 air gap TSV的简介与制备工艺 | 第31-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 用于TSV电容提取的通用模型 | 第35-49页 |
| 3.1 氧化层电容 | 第35-37页 |
| 3.2 耗尽层电容 | 第37-38页 |
| 3.3 TSV自身电容 | 第38-41页 |
| 3.4 圆柱/圆锥形TSV寄生电容分析 | 第41-44页 |
| 3.5 共轴耦合/air gap TSV寄生电容分析 | 第44-47页 |
| 3.6 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 新型TSV延时与频域特性 | 第49-63页 |
| 4.1 TSV延时模型 | 第49-50页 |
| 4.2 TSV信号完整性问题简介 | 第50-52页 |
| 4.2.1 由TSV引起的耦合来源 | 第51页 |
| 4.2.2 TSV间耦合模型 | 第51-52页 |
| 4.3 RC一阶模型的延时特性分析 | 第52-53页 |
| 4.4 air gap TSV的延时特性 | 第53-57页 |
| 4.5 air gap TSV的频域特性 | 第57-61页 |
| 4.6 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 本文总结 | 第63页 |
| 5.2 展望 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 作者简介 | 第71-72页 |