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一种供40纳米和28纳米工艺使用的集成电路良率模型

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
引言第6-9页
第一章 预测良率所用的数学模型第9-17页
    1.1 泊松模型第9-10页
    1.2 其他良率模型第10-15页
    1.3 不同数学模型的比较第15-17页
第二章 工厂良率管理第17-21页
    2.1 线上良率和缺陷密度第17-19页
    2.2 良率管理中的数据分析与处理第19-21页
第三章 用于良率优化的设计辅助工具第21-31页
    3.1 良率辅助设计的框架第21-25页
    3.2 关键区域分析第25-31页
第四章 基于辅助设计工具“关键区域分析”的40nm,28nm良率计算模型··第31-50页
    4.1 建立40nm,28nm集成电路良率模型遇到的问题以及解决方案第31-35页
    4.2 运用设计辅助工具“关键区域分析”作良率解析过程第35-39页
    4.3 良率模型在40nm和28nm中的应用和修正第39-41页
    4.4 良率模型在40nm产品中的应用第41-45页
    4.5 良率模型在28nm产品中的应用第45-50页
第五章 结论第50-51页
参考文献第51-53页
后记第53-54页

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