| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 前言 | 第8-11页 |
| 第一章 化学气相淀积（CVD）介绍 | 第11-21页 |
| 1.1 化学气相淀积技术（CVD）的介绍 | 第11-13页 |
| 1.1.1 化学气相淀积（CVD）薄膜生长过程及优点 | 第11页 |
| 1.1.2 化学气相淀积的反应步骤 | 第11-13页 |
| 1.2 集成电路制造中化学气相淀积的工艺类型 | 第13-19页 |
| 1.2.1 化学气相淀积技术（CVD）的分类 | 第13页 |
| 1.2.2 四种常用的化学气相淀积（CVD）方法的区别与联系 | 第13-19页 |
| 1.3 论文的主要内容与章节安排 | 第19-21页 |
| 1.3.1 论文的主要内容 | 第19页 |
| 1.3.2 论文的章节安排 | 第19-21页 |
| 第二章 高密度等离子体CVD淀积设备和工艺原理 | 第21-33页 |
| 2.1 高密度等离子体CVD淀积的介绍 | 第21-22页 |
| 2.2 HDPCVD的工艺原理 | 第22-26页 |
| 2.2.1 PECVD工艺中填孔中夹断和空洞产生的机理 | 第22-23页 |
| 2.2.2 HDPCVD工艺流程的特点 | 第23-26页 |
| 2.3 HDPCVD的反应腔及其工作原理 | 第26-31页 |
| 2.3.1 HDPCVD的反应腔结构 | 第26-29页 |
| 2.3.2 HDPCVD的反应腔工作原理 | 第29-31页 |
| 2.4 HDPCVD工艺薄膜淀积的工艺程式 | 第31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 高密度等离子体CVD工艺在集成电路制造中的品控 | 第33-43页 |
| 3.1 HDPCVD薄膜在集成电路制造中的应用 | 第33-34页 |
| 3.2 集成电路制造中HDP薄膜的质量控制指标 | 第34-42页 |
| 3.2.1 厚度、均匀性 | 第34-35页 |
| 3.2.2 折射率 | 第35-36页 |
| 3.2.3 应力 | 第36-37页 |
| 3.2.4 掺杂元素的含量的测量 | 第37页 |
| 3.2.5 湿法刻蚀速率 | 第37页 |
| 3.2.6 总刻蚀速率 | 第37-38页 |
| 3.2.7 总淀积速率 | 第38页 |
| 3.2.8 淀积刻蚀比 | 第38-42页 |
| 3.3 在集成电路制造中HDPCVD工艺中实际问题 | 第42页 |
| 3.4 本章总结 | 第42-43页 |
| 第四章 HDPCVD制程中对金属层电浆损伤的研究和改善 | 第43-55页 |
| 4.1 金属层电浆损伤的形成机理 | 第43-44页 |
| 4.1.1 金属导体层电浆损伤的介绍 | 第43-44页 |
| 4.1.2 造成电浆损伤的相关工艺 | 第44页 |
| 4.2 金属导体层电浆损伤与硅片温度的相关性 | 第44-46页 |
| 4.3 金属导体层电浆损伤与HDP设备和工艺的相关性 | 第46-50页 |
| 4.3.1 金属导体层电浆损伤与静电卡盘冷却效应的相关性 | 第46-48页 |
| 4.3.2 金属导体层电浆损伤与淀积薄膜厚度的相关性 | 第48-49页 |
| 4.3.3 金属导体层电浆损伤与持续的热负荷的相关性 | 第49-50页 |
| 4.4 金属层电浆损伤改善方法的探讨 | 第50-53页 |
| 4.4.1 多步淀积法 | 第50-51页 |
| 4.4.2 改善工艺步骤法 | 第51-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 结论和展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
