| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 致谢 | 第7-13页 |
| 第一章 引言 | 第13-20页 |
| ·集成电路的发展 | 第13-14页 |
| ·集成电路的可靠性问题 | 第14-17页 |
| ·老化对集成电路的影响 | 第16页 |
| ·ESD 对集成电路内部器件的影响 | 第16-17页 |
| ·相关研究技术及现状 | 第17-18页 |
| ·本文研究内容及组织结构 | 第18-20页 |
| ·本文主要研究内容 | 第18页 |
| ·本文的章节组织 | 第18-20页 |
| 第二章 集成电路老化预测与 ESD 防护基本原理 | 第20-32页 |
| ·建立时间与保持时间 | 第20页 |
| ·集成电路的老化预测 | 第20-27页 |
| ·NBTI 效应 | 第21-22页 |
| ·老化预测基本原理 | 第22-24页 |
| ·老化预测电路设计方法 | 第24-25页 |
| ·抗老化延迟单元结构分析 | 第25-26页 |
| ·检测单元结构原理分析 | 第26-27页 |
| ·集成电路的 ESD 防护基本原理 | 第27-32页 |
| ·ESD 损伤机理 | 第27-30页 |
| ·集成电路中解决 ESD 的方法 | 第30-32页 |
| 第三章 基于反馈自锁的老化预测电路设计 | 第32-39页 |
| ·HSPICE 软件简介 | 第32页 |
| ·基于反馈自锁的老化预测电路设计 | 第32-36页 |
| ·延迟单元结构 | 第32-34页 |
| ·基于反馈自锁的老化预测电路结构 | 第34-36页 |
| ·时序分析 | 第36-37页 |
| ·实验数据分析 | 第37-39页 |
| 第四章 基于 GG-NMOS 和二极管的片上 ESD 仿真研究 | 第39-48页 |
| ·TCAD 器件仿真软件介绍 | 第39-40页 |
| ·基于二极管的 ESD 防护电路 | 第40-42页 |
| ·二极管的 ESD 防护原理 | 第41-42页 |
| ·模拟仿真结果 | 第42页 |
| ·基于 GG-NMOS 的 ESD 防护电路 | 第42-48页 |
| ·GG-NMOS 的 ESD 防护电路结构图 | 第43-45页 |
| ·模拟仿真结果 | 第45-48页 |
| 第五章 总结与展望 | 第48-50页 |
| ·总结 | 第48-49页 |
| ·展望 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和参与的科研项目 | 第55-56页 |