| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 1 绪论 | 第12-43页 |
| ·IC制造中CMP的作用 | 第12-16页 |
| ·集成电路的发展 | 第12页 |
| ·集成电路的制造过程 | 第12-13页 |
| ·化学机械抛光技术的产生与发展 | 第13-15页 |
| ·化学机械抛光技术的基本原理 | 第15-16页 |
| ·CMP中抛光液的作用 | 第16-18页 |
| ·抛光液在化学机械抛光中的作用 | 第16页 |
| ·课题的提出 | 第16-18页 |
| ·SiO_2介质膜CMP中抛光液特性和作用机理研究现状 | 第18-39页 |
| ·二氧化硅晶片的基本性质 | 第18-20页 |
| ·抛光液作用机理研究的方向 | 第20-22页 |
| ·基于接触力学理论的抛光液作用机理的研究内容和建模 | 第22-30页 |
| ·基于流体力学理论的抛光液作用机理的研究内容和建模 | 第30-33页 |
| ·基于抛光液化学作用机理的研究内容和建模 | 第33-36页 |
| ·基于抛光液特性的研究内容和建模 | 第36-39页 |
| ·SiO_2介质膜CMP中抛光液特性和作用机理研究现状分析 | 第39-41页 |
| ·本课题的来源、研究目的与意义 | 第41-42页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第42-43页 |
| 2 二氧化硅CMP中抛光液的物理化学性质研究 | 第43-55页 |
| ·抛光液的物理化学性质 | 第43-46页 |
| ·抛光液基本的物理化学性质 | 第43-44页 |
| ·纳米磨粒在抛光液中的存在形式 | 第44-45页 |
| ·纳米磨粒在抛光垫和晶片之间的存在形式 | 第45-46页 |
| ·纳米磨粒的力学性能参数 | 第46页 |
| ·抛光垫在CMP中的作用 | 第46-51页 |
| ·抛光垫表面形貌及表面力学性能 | 第46-51页 |
| ·抛光垫在CMP中的作用 | 第51页 |
| ·抛光液性能评价指标 | 第51-53页 |
| ·抛光效果评价指标 | 第51-53页 |
| ·抛光液性能评价指标 | 第53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 3 抛光液配方的优化选择 | 第55-83页 |
| ·抛光液配方设计规划 | 第55-58页 |
| ·成分选择 | 第55-56页 |
| ·性能优化 | 第56-57页 |
| ·试验设备和材料 | 第57-58页 |
| ·抛光工艺参数优化 | 第58-59页 |
| ·UNIPOL1502型研磨抛光机工艺参数优化 | 第58-59页 |
| ·CETR抛光机工艺参数优化 | 第59页 |
| ·抛光液成分选择 | 第59-73页 |
| ·pH值调节剂的选择 | 第60-67页 |
| ·磨粒的选择 | 第67-71页 |
| ·添加剂的选择 | 第71-73页 |
| ·抛光液性能的优化 | 第73-81页 |
| ·抛光液配方优化的意义 | 第73页 |
| ·抛光液配方优化试验 | 第73-80页 |
| ·抛光液优化配方的验证 | 第80-81页 |
| ·本章小结 | 第81-83页 |
| 4 抛光液分散稳定性的改善 | 第83-100页 |
| ·表面活性剂成分的选择 | 第83-86页 |
| ·表面活性剂作用机理 | 第83-84页 |
| ·表面活性剂的选择 | 第84-86页 |
| ·表面活性剂的浓度对抛光液分散稳定性的影响 | 第86-95页 |
| ·Zeta电位法 | 第86-92页 |
| ·紫外分光光度计法和自然沉降法 | 第92-94页 |
| ·不同种类分散剂的对比和分析 | 第94-95页 |
| ·抛光液pH值的优化 | 第95-98页 |
| ·试验条件和材料 | 第95页 |
| ·试验结果与分析 | 第95-98页 |
| ·抛光液配方的确定 | 第98-99页 |
| ·本章小结 | 第99-100页 |
| 5 二氧化硅抛光液作用机理研究 | 第100-133页 |
| ·化学反应活化能在CMP中的作用 | 第100-104页 |
| ·化学反应速率理论模型的建立 | 第100-101页 |
| ·化学反应活化能基本原理 | 第101-102页 |
| ·化学反应活化能的测量 | 第102-103页 |
| ·含有不同碱的抛光液化学反应活化能的测量 | 第103-104页 |
| ·摩擦化学反应活化能在CMP中的作用 | 第104-115页 |
| ·摩擦化学反应动力学研究 | 第104-106页 |
| ·二氧化硅晶片表面材料去除总量模型的建立 | 第106-107页 |
| ·二氧化硅晶片表面材料去除分量试验 | 第107-112页 |
| ·压力和转速对摩擦化学反应的影响 | 第112-115页 |
| ·粘附去除模型的建立 | 第115-131页 |
| ·SiO_2颗粒在抛光过程中的纳米效应 | 第115-116页 |
| ·粘附去除模型 | 第116-118页 |
| ·粘附去除模型试验研究 | 第118-131页 |
| ·本章小结 | 第131-133页 |
| 6 结论与展望 | 第133-136页 |
| ·结论 | 第133-135页 |
| ·进一步工作展望 | 第135-136页 |
| 参考文献 | 第136-141页 |
| 创新点摘要 | 第141-142页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第142-143页 |
| 致谢 | 第143-144页 |
