一种新工艺的杂质分布拟合及模型参数提取的研究

摘要	第1-5页
ABSTRACT	第5-8页
第一章 绪论	第8-28页
·电子电力技术简介	第8-9页
·智能功率集成电路简介	第9-10页
·半导体工艺技术	第10-12页
·标准双极工艺	第11页
·多晶硅栅CMOS 工艺	第11-12页
·BiCMOS 工艺	第12页
·器件模型简介	第12-27页
·器件模型分类	第13-14页
·模型质量评价	第14页
·模型介绍	第14-19页
·BSIM3v3 模型物理模型	第19-27页
·本文的工作	第27-28页
第二章 新工艺简介和杂质分布提取	第28-42页
·新工艺简介	第28页
·各层的杂质分布提取	第28-40页
·Medici 的掺杂定义简介	第28-29页
·各层的杂质分布	第29-40页
·结果对比	第40-42页
第三章 器件模型的参数提取	第42-58页
·数据获取	第42-43页
·数据修正	第43-48页
·对阈值电压的修正	第43-47页
·对电流的修正	第47-48页
·数据的转换	第48页
·模型选择	第48-49页
·模型参数提取	第49-56页
·参数提取简介	第49-50页
·参数提取流程	第50-56页
·拟合结果	第56-58页
第四章 测试版图设计	第58-60页
第五章 结论	第60-61页
致谢	第61-62页
参考文献	第62-64页
攻硕期间取得的研究成果	第64-65页