AIN薄膜中频溅射制备及体声波谐振器研制
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·薄膜体声波谐振器(FBAR) | 第10-13页 |
| ·FBAR 的工作原理 | 第10-11页 |
| ·FBAR 器件模型 | 第11-12页 |
| ·FBAR 器件的材料的选择 | 第12-13页 |
| ·氮化铝的晶体结构和性质 | 第13-15页 |
| ·氮化铝晶体结构 | 第13-14页 |
| ·氮化铝的物理性质 | 第14-15页 |
| ·氮化铝薄膜的微观组织结构 | 第15页 |
| ·聚酰亚胺的性质 | 第15-16页 |
| ·国内外研究进展 | 第16-17页 |
| ·本论文研究目的与研究方案 | 第17-19页 |
| 第二章 中频磁控反应溅射系统及样品表征方法 | 第19-29页 |
| ·中频磁控反应溅射系统 | 第19-21页 |
| ·磁控溅射原理 | 第19-20页 |
| ·反应溅射过程 | 第20页 |
| ·中频磁控反应溅射的特点 | 第20-21页 |
| ·薄膜材料表征方法 | 第21-26页 |
| ·X 射线衍射 | 第21-22页 |
| ·扫描电子显微镜和能谱仪 | 第22-23页 |
| ·原子力显微镜 | 第23-24页 |
| ·X 射线光电子能谱 | 第24-25页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第25-26页 |
| ·器件电学性能测试方法 | 第26-29页 |
| ·I-V 测试 | 第26页 |
| ·C-V 测试 | 第26-27页 |
| ·矢量网络分析仪测试 | 第27-29页 |
| 第三章 氮化铝薄膜的制备研究 | 第29-41页 |
| ·在硅衬底上制备AlN 薄膜 | 第29-38页 |
| ·反应气体对中频溅射状态的影响 | 第29-31页 |
| ·溅射参数对AlN 薄膜的影响 | 第31-38页 |
| ·在PI/Si 衬底上制备AlN 薄膜 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 氮化铝薄膜进一步表征与分析 | 第41-50页 |
| ·X 射线衍射分析(XRD) | 第41-42页 |
| ·扫描电子显微镜分析 | 第42-44页 |
| ·原子力显微镜分析(AFM) | 第44-45页 |
| ·X 射线光电子能谱分析(XPS) | 第45-46页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第五章 FBAR 器件的制备及性能表征 | 第50-58页 |
| ·FBAR 的制备工艺 | 第50-52页 |
| ·AlN 薄膜电学性能及FBAR 器件性能测试 | 第52-56页 |
| ·I-V 测试 | 第52页 |
| ·C-V 测试 | 第52-54页 |
| ·网络分析仪测试 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 主要结论与创新点 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第64-65页 |
