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具有倒装及堆叠技术的DrMOS封装工艺研究

摘要第6-8页
ABSTRACT第8-9页
专业术语说明第12-13页
第一章 绪论第13-19页
    引言第13-14页
    1.1 国内外发展状况及趋势第14-18页
    1.2 本文研究内容第18-19页
第二章 结构设计第19-35页
    2.1 整体结构设计方案第19-20页
    2.2 仿真分析与结构优化第20-34页
        2.2.1 仿真分析原理简介第20-22页
        2.2.2 Abaqus软件简介第22页
        2.2.3 单颗产品模拟分析第22-30页
        2.2.4 多颗产品在框架上的模拟第30-34页
    2.3 本章小结第34-35页
第三章 封装工艺开发第35-40页
    3.1 封装工艺流程设计第35页
    3.2 上管MOSFET工艺流程第35-36页
    3.3 下管MOSFET工艺流程第36-38页
    3.4 驱动芯片IC预处理工艺流程第38-39页
    3.5 本章小结第39-40页
第四章 倒装工艺第40-47页
    4.1 倒装技术简介第40-41页
    4.2 功率器件倒装工艺第41-46页
        4.2.1 材料及结构,工艺流程第41-42页
        4.2.2 点胶头设计DOE第42-46页
    4.3 本章小结第46-47页
第五章 铜片贴装工艺第47-55页
    5.1 铜片贴装技术简介第47-50页
    5.2 本项目铜片贴装工艺第50-54页
    5.3 本章小结第54-55页
第六章 堆叠工艺第55-66页
    6.1 堆叠工艺简介第55-56页
        6.1.1 传统堆叠工艺第55-56页
        6.1.2 板级 3D封装堆叠工艺第56页
    6.2 本项目功率器件堆叠工艺第56-59页
    6.3 引线键合工艺第59-64页
    6.4 本章小结第64-66页
第七章 样品制备与示范应用第66-83页
    7.1 样品制作第66-67页
    7.2 示范应用—PCB设计第67-76页
        7.2.1 热分析重要性第67-68页
        7.2.2 热分析的基本原理第68-69页
        7.2.3 Flotherm软件简介第69页
        7.2.4 模型假设第69-70页
        7.2.5 系统散热影响因素分析第70-76页
    7.3 实际量测产品温度第76-78页
        7.3.1 产品和边界条件介绍第76页
        7.3.2 红外量测结果及分析第76-78页
    7.4 多颗产品在框架上的应变第78-80页
        7.4.1 量测产品介绍第78页
        7.4.2 实际结果及分析第78-80页
    7.5 电性能效率量测第80-81页
    7.6 信赖性验证第81-82页
    7.7 本章小结第82-83页
第八章 全文总结与展望第83-85页
    8.1 主要研究内容与结论第83页
    8.2 主要创新点第83-84页
    8.3 课题展望与下一步研究设想第84-85页
参考文献第85-87页
致谢第87-88页
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文第88页

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