| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 MEMS封装概述 | 第8-9页 |
| 1.2 基板材料 | 第9-11页 |
| 1.2.1 陶瓷基板 | 第9-10页 |
| 1.2.2 有机基板 | 第10-11页 |
| 1.2.3 硅基板 | 第11页 |
| 1.2.4 玻璃基板 | 第11页 |
| 1.3 玻璃微加工工艺 | 第11-16页 |
| 1.3.1 湿法刻蚀工艺 | 第12页 |
| 1.3.2 干法刻蚀工艺 | 第12-13页 |
| 1.3.3 喷砂工艺 | 第13页 |
| 1.3.4 超声加工工艺 | 第13-14页 |
| 1.3.5 激光加工工艺 | 第14-15页 |
| 1.3.6 机械切磨工艺 | 第15页 |
| 1.3.7 热成型工艺 | 第15-16页 |
| 1.4 玻璃回流工艺及其在MEMS微系统封装中的应用 | 第16-21页 |
| 1.4.1 玻璃回流工艺原理 | 第16页 |
| 1.4.2 玻璃回流工艺应用 | 第16-21页 |
| 1.4.2.1 微探针阵列 | 第16-18页 |
| 1.4.2.2 微谐振器 | 第18页 |
| 1.4.2.3 微型喷嘴 | 第18-19页 |
| 1.4.2.4 射频开关 | 第19-20页 |
| 1.4.2.5 导电TGV | 第20-21页 |
| 1.4.3 玻璃回流工艺的新型应用探索 | 第21页 |
| 1.5 本论文主要工作 | 第21-22页 |
| 第二章 玻璃基板新型设计研究 | 第22-30页 |
| 2.1 玻璃基板新结构设计 | 第22-25页 |
| 2.1.1 埋入导电通孔的互连型玻璃基板 | 第22-24页 |
| 2.1.2 埋入单元件的埋入型玻璃基板 | 第24-25页 |
| 2.2 玻璃基板制备工艺设计 | 第25-28页 |
| 2.2.1 埋入高掺杂硅结构的玻璃基板 | 第25-26页 |
| 2.2.2 埋入铜结构的玻璃基板 | 第26-28页 |
| 2.3 本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 玻璃基板实验结果分析 | 第30-40页 |
| 3.1 玻璃基板制备工艺版图设计 | 第30-31页 |
| 3.2 干法刻蚀高掺杂硅圆片结果分析 | 第31-35页 |
| 3.3 玻璃回流工艺分析 | 第35-38页 |
| 3.4 圆片减薄工艺分析 | 第38-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 玻璃基板电磁性能分析 | 第40-58页 |
| 4.1 互连型玻璃基板的电磁性能分析 | 第40-47页 |
| 4.1.1 互连型玻璃基板的仿真结构设计 | 第40-41页 |
| 4.1.2 互连型玻璃基板参数优化 | 第41-47页 |
| 4.1.2.1 导孔半径 | 第41页 |
| 4.1.2.2 导孔圆心距 | 第41页 |
| 4.1.2.3 导孔高度 | 第41页 |
| 4.1.2.4 SiO_2氧化层厚度 | 第41-45页 |
| 4.1.2.5 参数优化结果 | 第45-47页 |
| 4.2 埋入型玻璃基板的电磁性能分析 | 第47-56页 |
| 4.2.1 基于埋入电感型玻璃基板的结构设计 | 第47-49页 |
| 4.2.2 玻璃基板内电感的厚度可设计性分析 | 第49-51页 |
| 4.2.3 埋入玻璃基板电感的优势分析 | 第51-55页 |
| 4.2.3.1 玻璃基板表面铜折线形电感 | 第51-52页 |
| 4.2.3.2 埋入玻璃基板内电感 | 第52-55页 |
| 4.2.4 埋入型玻璃基板在RF MEMS集成中的应用研究 | 第55-56页 |
| 4.3 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 本论文工作总结 | 第58页 |
| 5.2 进一步工作展望 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 作者简介 | 第68页 |