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ICC底屏型高频集成器件新型结构设计

摘 要第1-6页
ABSTRACT第6-9页
第一章 绪论第9-13页
   ·无线通讯技术的发展第9页
   ·硅衬底高频集成电路传输线与线性无源器件发展第9-10页
   ·国内外高频集成电路(RFIC/MMIC)研究进展第10-11页
   ·选题背景第11-12页
   ·论文研究内容与结构第12-13页
第二章 硅衬底高频集成电路(RFIC/MMIC)器件研究第13-38页
   ·深亚微米CMOS 工艺结构第13-17页
   ·传输线(TRANSMISSION LINE)理论第17-22页
   ·硅衬底高频集成电路传输线研究第22-26页
   ·硅衬底集成电感研究第26-31页
   ·硅衬底集成巴仑(BALUN)研究第31-34页
   ·高频集成器件有限元(FEM)分析方法第34-38页
第三章 ICC 屏蔽层研究第38-46页
   ·基于深亚微米CMOS 工艺高频集成器件中损耗分析第38-41页
   ·ICC 屏蔽层模型结构提出和理论分析第41-46页
第四章 ICC 底屏型高频集成器件新型结构设计与仿真第46-63页
   ·新型硅衬底传输线结构第46-50页
   ·硅衬底新型集成电感结构第50-54页
   ·硅衬底新型集成BALUN结构第54-63页
第五章 结论第63-64页
致谢第64-65页
参考文献第65-68页
攻硕期间取得的研究成果第68页

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