基于高压MOS功率器件的高压集成电路的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·课题背景 | 第7-8页 |
| ·功率集成电路发展概况 | 第8-9页 |
| ·BCD集成电路技术的发展状况 | 第9-10页 |
| ·本文研究的内容和意义 | 第10页 |
| ·本文的主要工作 | 第10-13页 |
| 第二章 高压MOS功率器件的研究 | 第13-35页 |
| ·器件击穿的理论分析 | 第13-15页 |
| ·碰撞电离 | 第13页 |
| ·雪崩击穿 | 第13-15页 |
| ·结终端技术 | 第15-19页 |
| ·场板技术 | 第16-17页 |
| ·场限环技术 | 第17-18页 |
| ·RESURF技术 | 第18-19页 |
| ·高压LDMOS器件结构 | 第19-24页 |
| ·器件结构分析 | 第19-21页 |
| ·Double RESRUF的电荷平衡 | 第21-24页 |
| ·MEDICI使用简介 | 第24-26页 |
| ·可分析的对象 | 第24页 |
| ·物理模型 | 第24页 |
| ·边界条件 | 第24-25页 |
| ·仿真原理 | 第25-26页 |
| ·器件耐压的二维仿真模拟及分析 | 第26-31页 |
| ·漂移区长度的影响 | 第27-28页 |
| ·栅极场板长度的影响 | 第28-29页 |
| ·P降场层浓度的影响 | 第29-30页 |
| ·P降场层长度的影响 | 第30-31页 |
| ·器件导通电阻的分析 | 第31-35页 |
| 第三章 电路设计与仿真 | 第35-59页 |
| ·系统的组成及原理介绍 | 第35-37页 |
| ·系统参数特征及设计指针 | 第37页 |
| ·控制电路的设计 | 第37-49页 |
| ·压控振荡器的设计 | 第39-42页 |
| ·积分器的设计 | 第42-44页 |
| ·比较器的设计 | 第44-47页 |
| ·数字逻辑部分的设计 | 第47-48页 |
| ·控制电路的模拟仿真 | 第48-49页 |
| ·驱动电路的设计 | 第49-59页 |
| ·信号处理电路的设计 | 第50-51页 |
| ·电平位移电路 | 第51-56页 |
| ·高、低压驱动级电路的设计 | 第56-59页 |
| 第四章 工艺及版图设计 | 第59-67页 |
| ·工艺设计 | 第59-61页 |
| ·兼容工艺设计 | 第59-60页 |
| ·高低压兼容工艺流程 | 第60-61页 |
| ·版图设计 | 第61-67页 |
| ·版图设计的步骤 | 第61-62页 |
| ·版图设计的一般要求 | 第62-63页 |
| ·部分版图 | 第63-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-69页 |
| ·总结 | 第67页 |
| ·展望 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 作者在读期间的研究成果 | 第72-73页 |
| 附录 | 第73-76页 |
