| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 1 引言 | 第11-17页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第11-15页 |
| 1.1.1 碳化硅器件发展 | 第11-13页 |
| 1.1.2 SiC MOSFET的应用 | 第13-15页 |
| 1.2 本文研究内容 | 第15-17页 |
| 2 SIC MOSFET驱动及动态特性测试方法 | 第17-45页 |
| 2.1 驱动电路设计 | 第17-24页 |
| 2.1.1 驱动电压及电源 | 第17-19页 |
| 2.1.2 信号隔离及驱动 | 第19-21页 |
| 2.1.3 故障保护 | 第21页 |
| 2.1.4 信号及故障处理 | 第21-23页 |
| 2.1.5 驱动结构 | 第23-24页 |
| 2.2 双脉冲测试设计 | 第24-34页 |
| 2.2.1 双脉冲原理分析 | 第25-26页 |
| 2.2.2 元件参数选择 | 第26-27页 |
| 2.2.3 测试时序准确设计 | 第27-33页 |
| 2.2.4 双脉冲Matlab图形界面设计 | 第33-34页 |
| 2.3 双脉冲主电路设计 | 第34-39页 |
| 2.4 实验测试 | 第39-43页 |
| 2.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 3 SIC MOSFET驱动保护技术 | 第45-67页 |
| 3.1 短路检测 | 第45-52页 |
| 3.1.1 短路故障分类 | 第45-46页 |
| 3.1.2 去饱和检测方案 | 第46-52页 |
| 3.2 有源钳位 | 第52-63页 |
| 3.2.1 基本有源钳位 | 第53-54页 |
| 3.2.2 改进的有源钳位 | 第54-56页 |
| 3.2.3 应用于SiC MOSFET的改进的有源钳位 | 第56-61页 |
| 3.2.4 吸收电容的影响 | 第61-63页 |
| 3.3 软关断 | 第63-66页 |
| 3.3.1 增大关断电阻 | 第63页 |
| 3.3.2 两级电压关断 | 第63-66页 |
| 3.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 4 寄生参数引起的振荡研究 | 第67-81页 |
| 4.1 寄生参数 | 第67-70页 |
| 4.1.1 寄生参数分布 | 第67-69页 |
| 4.1.2 寄生参数估算 | 第69-70页 |
| 4.2 高速开关振荡 | 第70-74页 |
| 4.2.1 等效模型 | 第70-72页 |
| 4.2.2 开关速度对开通过压的影响 | 第72-74页 |
| 4.3 驱动回路振荡 | 第74-78页 |
| 4.3.1 机理分析 | 第75-77页 |
| 4.3.2 抑制方法 | 第77-78页 |
| 4.4 本章小结 | 第78-81页 |
| 5 结论 | 第81-83页 |
| 5.1 全文工作总结 | 第81-82页 |
| 5.2 工作展望 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-87页 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第87-89页 |
| 学位论文数据集 | 第89页 |