| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT器件的优势和研究进展 | 第9-11页 |
| ·HEMT器件模拟的现状以及存在的问题 | 第11-13页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 HEMT器件基本原理与器件特性 | 第15-29页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT器件的基本结构和原理 | 第15-16页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT的极化效应 | 第16-18页 |
| ·HEMT器件的材料与制备 | 第18-21页 |
| ·HEMT器件的直流特性与频率特性 | 第21-23页 |
| ·:直流特性 | 第21-22页 |
| ·:频率特性 | 第22-23页 |
| ·增强型AlGaN/GaN HEMT的制作 | 第23-29页 |
| ·选择性生长pn结栅增强型AlGaN/GaN HEMT器件 | 第24-25页 |
| ·利用氟化物基等离子体处理增强型AlGaN/GaN HEMT器件 | 第25页 |
| ·槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT器件 | 第25-26页 |
| ·槽栅MIS增强型AlGaN/GaN HFET器件 | 第26-29页 |
| 第三章 GaN基HEMT器件的基本模型 | 第29-37页 |
| ·器件模拟基础知识 | 第29-30页 |
| ·仿真软件ATLAS概述 | 第30-31页 |
| ·器件基本模型和参数 | 第31-34页 |
| ·基本材料模型和参数 | 第34-37页 |
| 第四章 槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT的基本特性仿真 | 第37-51页 |
| ·模拟的HEMT器件结构和结构参数 | 第37-38页 |
| ·不同结构参数对器件特性影响 | 第38-41页 |
| ·AlGaN层掺杂的影响 | 第38-39页 |
| ·势垒层Al组分的影响 | 第39-40页 |
| ·肖特基势垒高度的影响 | 第40-41页 |
| ·槽栅增强型HEMT器件特性仿真 | 第41-45页 |
| ·槽栅MOS增强型HEMT器件特性仿真 | 第45-49页 |
| ·槽栅增强型HEMT器件的工艺实现 | 第49-51页 |
| 第五章 结束语 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
