| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·GaN 材料的介绍 | 第7-8页 |
| ·GaN 材料高频功率应用的优势 | 第8-13页 |
| ·GaN 异质结结构应用于微波器件 | 第9-10页 |
| ·GaN 材料应用于THz 器件 | 第10-13页 |
| ·本文的结构和主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 大栅宽 AlGaN/GaN 功率 HEMT 器件 | 第15-25页 |
| ·AlGaN/GaN 功率HEMT 器件的结构及制作工艺步骤 | 第15-17页 |
| ·AlGaN/GaN 功率HEMT 器件特性 | 第17-25页 |
| ·直流特性和频率特性介绍 | 第17-19页 |
| ·器件大信号的测量 | 第19-25页 |
| 第三章 GaN 基耿氏二极管结构的蒙特卡罗模拟 | 第25-41页 |
| ·耿氏二极管研究进展 | 第25-26页 |
| ·耿氏振荡基本原理 | 第26-30页 |
| ·GaN Gunn Diode 结构设计 | 第30-41页 |
| ·耿氏二极管结构的模拟方法 | 第30-35页 |
| ·模拟结果 | 第35-41页 |
| 第四章：制备 GaN 基耿氏二极管的关键工艺研究 | 第41-53页 |
| ·封装结构 | 第41页 |
| ·新型欧姆接触工艺研究 | 第41-53页 |
| ·欧姆接触的测量方法 | 第42-43页 |
| ·新型退火工艺研究 | 第43-48页 |
| ·新型表面处理改善欧姆接触研究 | 第48-53页 |
| 第五章：结束语 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 作者攻读硕士期间研究成果和参加科研项目 | 第60-61页 |