| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·GaN基HEMT的特点 | 第9-10页 |
| ·GaN基异质结构的变温电学特性研究进展 | 第10-13页 |
| ·当前GaN基异质结构研究进展 | 第10-11页 |
| ·AlGaN/GaN异质结构变温电学特性研究进展及其意义 | 第11-13页 |
| ·本文的研究内容和安排 | 第13-15页 |
| 第二章 AlGaN/GaN异质结构的理论仿真 | 第15-25页 |
| ·变温下2DEG的仿真 | 第15-21页 |
| ·2DEG的形成 | 第15-19页 |
| ·AlGaN/GaN异质结构的2DEG仿真 | 第19-21页 |
| ·AlGaN/GaN异质结构的2DEG迁移率 | 第21-24页 |
| ·2DEG中各种散射机制的建模 | 第21-23页 |
| ·2DEG及GaN迁移率计算 | 第23-24页 |
| ·小结 | 第24-25页 |
| 第三章 AlGaN/GaN异质结构样品的制备与电学特性表征 | 第25-33页 |
| ·样品的制备 | 第25-27页 |
| ·AlGaN/GaN异质结构的生长 | 第25-26页 |
| ·AlGaN/GaN异质结构的设计 | 第26页 |
| ·测试样品的制备 | 第26-27页 |
| ·电学表征方法 | 第27-31页 |
| ·2DEG分布测试 | 第27-29页 |
| ·2DEG低场下迁移率测试 | 第29-30页 |
| ·2DEG密度与迁移率依赖关系表征 | 第30-31页 |
| ·小结 | 第31-33页 |
| 第四章 AlGaN/GaN异质结构2DEG与迁移率的变温研究 | 第33-41页 |
| ·AlGaN/GaN异质结构变温CV特性 | 第33-37页 |
| ·2DEG界面变温特性 | 第33-34页 |
| ·背景电子浓度的变温特性 | 第34-36页 |
| ·CV耗尽电容与电子面密度关系 | 第36-37页 |
| ·2DEG与迁移率关系的变温研究 | 第37-39页 |
| ·研究意义 | 第37页 |
| ·实验以及讨论 | 第37-39页 |
| ·小结 | 第39-41页 |
| 第五章 AlGaN/GaN异质结构的高温输运特性研究 | 第41-53页 |
| ·不同Al组分AlGaN/GaN异质结构高温电子输运特性 | 第41-47页 |
| ·研究背景及意义 | 第41页 |
| ·实验方案 | 第41-42页 |
| ·实验结果及分析 | 第42-43页 |
| ·论分析 | 第43-47页 |
| ·结论 | 第47页 |
| ·不同GaN缓冲层AlGaN/GaN异质结构高温输运特性的比较 | 第47-51页 |
| ·研究背景及内容 | 第47页 |
| ·实验 | 第47-48页 |
| ·结果与讨论 | 第48-51页 |
| ·结论 | 第51页 |
| ·小结 | 第51-53页 |
| 第六章 总结 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 攻读硕士期间获得的成果以及参加的科研项目 | 第63页 |
