| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 薄膜晶体管的发展历史及现状 | 第11-12页 |
| 1.3 TFT典型器件性能分析 | 第12-15页 |
| 1.3.1 非晶硅薄膜晶体管（a-Si:H TFT)性能特点 | 第12页 |
| 1.3.2 多晶硅薄膜晶体管（P-Si TFT)性能特点 | 第12-13页 |
| 1.3.3 有机薄膜晶体管（OTFT)性能特点 | 第13-14页 |
| 1.3.4 氧化物薄膜晶体管性能特点 | 第14-15页 |
| 1.4 几种典型的氧化物TFT的研究现状介绍 | 第15-16页 |
| 1.4.1 ZnO-TFT技术 | 第15页 |
| 1.4.2 IGZO-TFT技术 | 第15-16页 |
| 1.4.3 IZO-TFT技术 | 第16页 |
| 1.5 薄膜晶体管的应用 | 第16-17页 |
| 1.5.1 薄膜晶体管在TFT-LCD中的应用 | 第16-17页 |
| 1.5.2 薄膜晶体管在AMOLED中的应用 | 第17页 |
| 1.6 ZnON的基本性质 | 第17-19页 |
| 1.7 ZnON-TFT的国内外研究现状 | 第19页 |
| 1.8 本论文的主要工作内容以及研究意义 | 第19-21页 |
| 第二章 ZnON薄膜制备理论基础与性能表征 | 第21-39页 |
| 2.1 实验方法及原理 | 第21-26页 |
| 2.1.1 磁控溅射原理及其特点 | 第21-22页 |
| 2.1.2 溅射薄膜的形成理论 | 第22-25页 |
| 2.1.3 磁控溅射薄膜的影响因素 | 第25-26页 |
| 2.2 薄膜的制备 | 第26-29页 |
| 2.2.1 实验设备 | 第26-27页 |
| 2.2.2 实验材料 | 第27页 |
| 2.2.3 实验基片预处理 | 第27-28页 |
| 2.2.4 薄膜制备工艺流程 | 第28-29页 |
| 2.3 薄膜性能表征 | 第29-38页 |
| 2.3.1 薄膜厚度的测量 | 第29-30页 |
| 2.3.2 薄膜的透射率 | 第30-32页 |
| 2.3.3 气体流量对薄膜性能的影响 | 第32-34页 |
| 2.3.4 溅射功率对薄膜性能的影响 | 第34-36页 |
| 2.3.5 磁控溅射ZnON薄膜的表面形貌 | 第36-37页 |
| 2.3.6 磁控溅射ZnON薄膜的成分分析 | 第37-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 基于ZnON薄膜晶体管的设计和工艺探索 | 第39-49页 |
| 3.1 薄膜晶体管典型结构 | 第39页 |
| 3.2 ZnON薄膜晶体管的制备 | 第39-48页 |
| 3.2.1 光刻工艺 | 第40-43页 |
| 3.2.2 刻蚀工艺 | 第43-46页 |
| 3.2.3 TFT制备过程 | 第46-48页 |
| 3.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 薄膜晶体管的性能测试 | 第49-60页 |
| 4.1 薄膜晶体管的工作原理 | 第49-51页 |
| 4.1.1 薄膜晶体管的定性分析 | 第49-50页 |
| 4.1.2 薄膜晶体管的定量分析 | 第50-51页 |
| 4.2 薄膜晶体管的特性参数 | 第51-52页 |
| 4.2.1 场效应迁移率 | 第51页 |
| 4.2.2 阈值电压 | 第51页 |
| 4.2.3 亚阈值摆幅 | 第51-52页 |
| 4.2.4 开关比 | 第52页 |
| 4.3 薄膜晶体管电学性能测试 | 第52-58页 |
| 4.3.1 不同氮氧流量比对薄膜晶体管的性能影响 | 第52-55页 |
| 4.3.2 溅射功率对薄膜晶体管性能的影响 | 第55-58页 |
| 4.4 薄膜晶体管稳定性研究 | 第58-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |