| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 1 引言 | 第12-16页 |
| 1.1 模拟电路与数字电路的现状与发展 | 第12页 |
| 1.2 目前集成电路设计的发展方向 | 第12-13页 |
| 1.3 PDK 开发套件与定制集成电路的关系 | 第13-14页 |
| 1.4 PAS －高效的PDK 开发平台 | 第14-15页 |
| 1.5 本文的研究内容 | 第15-16页 |
| 2 PAS－PDK AUTOMATION SYSTEM | 第16-27页 |
| 2.1 使用PDK 套件进行电路设计的优点 | 第16页 |
| 2.2 PDK 套件的基本结构以及开发PDK 套件难点所在 | 第16-18页 |
| 2.3 PDK 套件开发平台－ PAS（PDK AUTOMATION SYSTEM） | 第18-26页 |
| 2.3.1 GTE 下开发Pcell 器件简介 | 第18-24页 |
| 2.3.2 GTE 下开发DRC 检查文件简介 | 第24-25页 |
| 2.3.3 GTE 下开发LVS 检查文件简介 | 第25-26页 |
| 2.4 本章小节 | 第26-27页 |
| 3 PDK 套件开发实例分析 | 第27-69页 |
| 3.1 工艺技术文件的开发与分析 | 第27-30页 |
| 3.2 工艺设计规则验证文件(DRC)的开发 | 第30-32页 |
| 3.2.1 物理验证工具特性 | 第31页 |
| 3.2.2 工艺DRC 文件开发 | 第31-32页 |
| 3.3 版图提取文件(LVS)的开发 | 第32-36页 |
| 3.4 PCELL 器件设计技术详解 | 第36-37页 |
| 3.4.1 Pcell 器件基本原理 | 第36页 |
| 3.4.2 Skill 语言简介 | 第36-37页 |
| 3.4.3 Pcell 器件的数据存储机制 | 第37页 |
| 3.5 器件描述格式CDF 详解 | 第37-41页 |
| 3.5.1 器件描述格式参数的级别 | 第38-39页 |
| 3.5.2 器件描述格式参数的设定 | 第39-40页 |
| 3.5.3 CDF 参数通常会采用的形式 | 第40页 |
| 3.5.4 CDF 参数在电路仿真的表达 | 第40-41页 |
| 3.6 MOS 晶体管参数化单元的开发 | 第41-54页 |
| 3.6.1 MOS 晶体管的CDF 参数功能定义 | 第41-44页 |
| 3.6.2 MOS 器件Callback 函数设计 | 第44-47页 |
| 3.6.3 MOS 晶体管多晶硅栅折叠 | 第47-49页 |
| 3.6.4 MOS 晶体管多晶硅栅连接 | 第49-51页 |
| 3.6.5 MOS 晶体管源漏端连接 | 第51-53页 |
| 3.6.6 MOS 晶体管衬底接触 | 第53-54页 |
| 3.7 电阻参数化单元的开发 | 第54-64页 |
| 3.7.1 电阻的参数功能定义以及Callback 函数分析 | 第54-59页 |
| 3.7.2 电阻分段并联和串联 | 第59-62页 |
| 3.7.3 电阻运算公式计算 | 第62-64页 |
| 3.8 电容参数化单元的开发 | 第64-67页 |
| 3.9 熔丝电阻单元器件的开发 | 第67-68页 |
| 3.10 本章小结 | 第68-69页 |
| 4 PDK 套件拓展应用－PCASE | 第69-89页 |
| 4.1 DRC 检查文件开发中存在的问题 | 第69-70页 |
| 4.2 设计规则测试向量库 | 第70-72页 |
| 4.3 特征图形归纳 | 第72-79页 |
| 4.4 测试向量镜像法 | 第79-80页 |
| 4.5 参数化测试向量－ PCASE | 第80-84页 |
| 4.6 实例应用—一套45NM CMOS 工艺测试向量库 | 第84-88页 |
| 4.7 本章小节 | 第88-89页 |
| 5 总结与展望 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-93页 |
| 致谢 | 第93-94页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第94页 |
