| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 ZnO的特性介绍 | 第12-20页 |
| 1.2.1 ZnO的晶体结构 | 第12-14页 |
| 1.2.2 非极性ZnO的特性及进展 | 第14-16页 |
| 1.2.3 ZnO本征缺陷与掺杂 | 第16-17页 |
| 1.2.4 ZnO薄膜器件的典型应用及发展现状 | 第17-20页 |
| 1.3 ZnO薄膜的制备方法 | 第20-21页 |
| 1.4 Si的各向异性刻蚀介绍 | 第21-24页 |
| 1.4.1 光刻工艺 | 第21页 |
| 1.4.2 掩膜的选择 | 第21-22页 |
| 1.4.3 掩膜的制备方法及原理 | 第22-23页 |
| 1.4.4 刻蚀分类 | 第23-24页 |
| 1.5 论文的研究内容及意义 | 第24-25页 |
| 第2章 实验方法及表征手段 | 第25-40页 |
| 2.1 物理制备法 | 第25-28页 |
| 2.1.1 MBE法 | 第25-26页 |
| 2.1.2 脉冲激光沉积技术(PLD) | 第26-28页 |
| 2.2 化学制备法 | 第28-34页 |
| 2.2.1 化学气相沉积法(CVD) | 第28-29页 |
| 2.2.2 液相法 | 第29-34页 |
| 2.3 薄膜的表征方法 | 第34-38页 |
| 2.3.1 X射线衍射原理及应用 | 第34-36页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜原理及应用 | 第36-37页 |
| 2.3.3 原子力显微镜的原理及应用 | 第37-38页 |
| 2.4 化学药品及仪器 | 第38-40页 |
| 第3章 在p型刻蚀Si衬底上制备非极性择优取向生长的ZnO薄膜 | 第40-56页 |
| 3.1 引言 | 第40页 |
| 3.2 实验部分 | 第40-45页 |
| 3.2.1 掩膜的制备及装置 | 第40-42页 |
| 3.2.2 湿法刻蚀剂的选择 | 第42-43页 |
| 3.2.3 刻蚀装置及刻蚀过程 | 第43-45页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第45-55页 |
| 3.3.1 刻蚀时间的影响 | 第45-50页 |
| 3.3.2 清洗方式对刻蚀形貌的影响 | 第50-52页 |
| 3.3.3 其它条件对刻蚀形貌的影响 | 第52页 |
| 3.3.4 刻蚀Si衬底上制备非极性择优取向ZnO薄膜 | 第52-55页 |
| 3.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第4章 在单晶p型Si衬底上制备非极性择优取向生长的ZnO薄膜 | 第56-76页 |
| 4.1 介绍 | 第56-57页 |
| 4.2 实验步骤 | 第57-60页 |
| 4.2.1 溶胶凝胶1法在单晶Si衬底上制备种子层 | 第57-59页 |
| 4.2.2 CBD法制备非极性ZnO薄膜 | 第59-60页 |
| 4.2.3 实验表征与方法 | 第60页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第60-75页 |
| 4.3.1 种子层制备条件对薄膜非极性取向择优生长的影响 | 第60-68页 |
| 4.3.2 CBD溶液极性对薄膜非极性择优取向生长的影响 | 第68-75页 |
| 4.4 本章结论 | 第75-76页 |
| 第5章 结论 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-88页 |
| 致谢 | 第88页 |
