摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-10页 |
第1章 绪论 | 第10-22页 |
·有机薄膜晶体管的研究历史 | 第10-13页 |
·有机薄膜晶体管在各领域应用 | 第11-12页 |
·目前有机薄膜晶体管研究局限性 | 第12-13页 |
·OTFTs 材料研究 | 第13-16页 |
·OTFTs 的有机半导体材料简介 | 第13-15页 |
·OTFTs 器件的电极材料 | 第15页 |
·OTFTs 的绝缘层材料 | 第15-16页 |
·OTFTs 的工作机理及性能参数 | 第16-19页 |
·场效应晶体管 | 第16-18页 |
·OTFTs 工作机理 | 第18-19页 |
·表征有OTFTs 电学性能的主要参数 | 第19-20页 |
·本文的选题依据和主要研究内容 | 第20-22页 |
·选题依据 | 第20页 |
·本文主要研究内容 | 第20-22页 |
第2章 真空蒸发镀膜仪器的制作 | 第22-31页 |
·真空蒸发镀膜仪的原理及设计图 | 第22-23页 |
·真空镀膜过程中的蒸发条件 | 第23-24页 |
·自制镀膜仪的不同蒸发源的工作原理 | 第24-26页 |
·电阻蒸发源的设计及原理 | 第24-25页 |
·电子枪加热蒸发源 | 第25页 |
·感应加热式蒸发源 | 第25-26页 |
·自制真空镀膜仪器的真空设备 | 第26-28页 |
·旋片式机械泵及其原理 | 第26-27页 |
·油扩散泵及其原理 | 第27-28页 |
·自制真空镀膜仪真空的测量 | 第28-29页 |
·热电偶真空计 | 第28页 |
·热阴极电离真空计 | 第28-29页 |
·仪器采用复合真空计 | 第29页 |
·自制真空蒸镀仪器 | 第29-30页 |
·自制真空蒸镀仪器的实物图 | 第29-30页 |
·真空蒸发镀膜的操作步骤 | 第30页 |
·本章小结 | 第30-31页 |
第3章 有机薄膜晶体管的研究 | 第31-47页 |
·引言 | 第31页 |
·材料的选取 | 第31-32页 |
·有机薄膜晶体管的制备 | 第32-36页 |
·器件制作流程 | 第32-33页 |
·有机薄膜晶体管的结构 | 第33-34页 |
·基片的清洗和栅极的制备 | 第34页 |
·绝缘层的制备 | 第34页 |
·有机半导体层和源漏电极的制备 | 第34-36页 |
·Si0_2 和Si0_2/PMMA 表面生长PTCDI-C8 的结构表征 | 第36-38页 |
·Si0_2 和PMMA/Si0_2 绝缘层上生长PTCDI-8 的AFM 分析 | 第36-37页 |
·Si0_2 和PMMA/Si0_2 绝缘层上生长PTCDI-8 的XRD 分析 | 第37-38页 |
·PTCDI-C8 的电子功函数测试 | 第38-43页 |
·电子功函数 | 第38页 |
·电子功函数的开尔文探针测试 | 第38-41页 |
·半导体PTCDI-C8 的电子功函数 | 第41-43页 |
·基于Si0_2 和PMMA/Si0_2 绝缘层的OTFTs 器件的电学性能 | 第43-44页 |
·无机、有机绝缘层对器件性能的影响分析 | 第44-45页 |
·本章小结 | 第45-47页 |
第4章 自组装绝缘层薄膜晶体管的制备及性能研究 | 第47-57页 |
·引言 | 第47页 |
·单层自组装薄膜的制备及其结构表征 | 第47-51页 |
·自组装薄膜的选材 | 第47-48页 |
·自组装薄膜的制备 | 第48-49页 |
·有机半导体薄膜的制备 | 第49页 |
·电极的制备 | 第49-50页 |
·自组装薄膜上生长PTCDI-C8 薄膜的AFM 分析 | 第50-51页 |
·多层自组装薄膜的制备及分析 | 第51-52页 |
·APTES 自组装多层膜的制备 | 第51页 |
·PTES 自组装多层膜的制备 | 第51页 |
·APTES 自组装多层膜的SEM 分析 | 第51-52页 |
·PTES 自组装多层膜的SEM 分析 | 第52页 |
·器件的电学性能测试 | 第52-55页 |
·自组装绝缘层器件的电学性能 | 第52-54页 |
·不同绝缘层器件的电学性能分析 | 第54-55页 |
·本章小结 | 第55-57页 |
第5章 总结与展望 | 第57-59页 |
·论文总结 | 第57-58页 |
·研究展望 | 第58-59页 |
参考文献 | 第59-64页 |
致谢 | 第64-65页 |
攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第65页 |