| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·研究意义与背景 | 第8-9页 |
| ·国内外研究现状 | 第9-10页 |
| ·论文的主要内容及架构 | 第10-12页 |
| 第二章 ESD 防护设计与测试方法 | 第12-20页 |
| ·片上 ESD 防护的设计方法 | 第12-15页 |
| ·基于 PAD 的 ESD 防护 | 第12-13页 |
| ·基于电源轨的 ESD 防护 | 第13-14页 |
| ·基于电源轨与基于 PAD 的两种 ESD 防护方法的比较 | 第14-15页 |
| ·ESD 的测试模型 | 第15-16页 |
| ·ESD 的测试方法 | 第16-18页 |
| ·I/O-Pin 放电测试 | 第16-17页 |
| ·Pin-Pin 放电测试 | 第17页 |
| ·VDD-VSS 放电测试 | 第17-18页 |
| ·ESD 测试设备 | 第18-19页 |
| ·ZapMaster | 第18页 |
| ·TLP 测试系统 | 第18-19页 |
| ·光发射显微镜 | 第19页 |
| ·本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 ESD 防护单元的研究与设计 | 第20-40页 |
| ·基于二极管的 ESD 防护单元设计 | 第20-26页 |
| ·ESD 二极管的电学特性 | 第20-23页 |
| ·ESD 二极管与 LNA 的协同设计 | 第23-26页 |
| ·基于纵向 NPN 的 ESD 防护单元设计 | 第26-30页 |
| ·传统 NPN ESD 自触发结构的工作机理 | 第26-27页 |
| ·带 P+/N-Well 二极管的 NPN 自触发结构设计 | 第27-28页 |
| ·改进结构的数据分析 | 第28-30页 |
| ·低压工艺下 GGNMOS 的 ESD 特性研究 | 第30-35页 |
| ·GGNMOS 的工作机理 | 第31页 |
| ·工艺对 GGNMOS ESD 特性的影响 | 第31-32页 |
| ·器件宽度、沟道长度对 GGNMOS ESD 特性的影响 | 第32-34页 |
| ·DCP、SCP 对 GGNMOS ESD 特性的影响 | 第34-35页 |
| ·GGNMOS 的电路级建模 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 基于 SCR 的 ESD 防护器件的研究与设计 | 第40-52页 |
| ·低触发压 SCR ESD 防护性能的研究 | 第40-44页 |
| ·SCR 的工作机理 | 第40-41页 |
| ·低触发压 SCR 的设计与分析 | 第41-44页 |
| ·RC 辅助触发的 SCR 的设计与分析 | 第44-45页 |
| ·NMOS 触发的 DDSCR 的设计与分析 | 第45-48页 |
| ·DDSCR 的工作机理 | 第45-46页 |
| ·NMDDSCR 的结构 | 第46-47页 |
| ·NMDDSCR 的测试分析 | 第47-48页 |
| ·PMOS 触发的 DDSCR 的设计与分析 | 第48-49页 |
| ·PMDDSCR 的结构 | 第48-49页 |
| ·PMDDSCR 的测试分析 | 第49页 |
| ·本章小结 | 第49-52页 |
| 第五章 总结与展望 | 第52-54页 |
| ·总结 | 第52页 |
| ·展望 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 附录：作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第60页 |
