SiC肖特基二极管模拟研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-14页 |
| ·研究背景与意义 | 第7页 |
| ·国内外研究现状 | 第7-9页 |
| ·SiC材料的结构和基本性质 | 第9-12页 |
| ·SiC材料的晶格结构 | 第9-10页 |
| ·SiC的基本性质 | 第10-12页 |
| ·肖特基二极管 | 第12-13页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第13-14页 |
| 2 肖特基二极管的基本原理 | 第14-23页 |
| ·肖特基势垒 | 第14页 |
| ·肖特基二极管基本结构 | 第14页 |
| ·金属半导休接触整流理论 | 第14-15页 |
| ·扩散理论 | 第15-19页 |
| ·热电子发射理论 | 第19-23页 |
| 3 仿真物理模型 | 第23-27页 |
| ·器件仿真物理模型 | 第23-27页 |
| ·基本的物理模型方程 | 第23页 |
| ·SiC肖特基二极管物理模型 | 第23-27页 |
| 4 仿真的实现 | 第27-39页 |
| ·仿真工具 | 第27-31页 |
| ·Mdraw器件结构编辑工具 | 第28-29页 |
| ·Mesh器件网格编辑工具 | 第29页 |
| ·Dessis器件综合编辑工具 | 第29-30页 |
| ·Gensise流程设计平台 | 第30-31页 |
| ·W/SiC肖特基二极管伏-安特性的仿真 | 第31-35页 |
| ·不同温度条件下仿真 | 第34页 |
| ·不同浓度条件下仿真 | 第34-35页 |
| ·不同外延层厚度条件下仿真 | 第35页 |
| ·反向击穿仿真 | 第35页 |
| ·P-N结二极管伏-安特性的仿真 | 第35页 |
| ·Au/SiC肖特基二极管伏-安特性的仿真 | 第35-39页 |
| 5 仿真结果及讨论 | 第39-50页 |
| ·W/SiC肖特基二极管伏-安特性模拟 | 第39-48页 |
| ·不同温度条件 | 第39-43页 |
| ·不同浓度条件 | 第43-46页 |
| ·不同外延层厚度 | 第46-47页 |
| ·反向击穿模拟 | 第47-48页 |
| ·W/SiC SBD与P-N结二极管的比较 | 第48-49页 |
| ·W/SiC与Au/SiC SBD的比较 | 第49-50页 |
| 6 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
