| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-15页 |
| ·研究背景 | 第8-10页 |
| ·课题相关国内外研究现状 | 第10-13页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体刻蚀的研究现状 | 第10-11页 |
| ·纳米压印技术的研究现状 | 第11-13页 |
| ·论文的主要研究内容及意义 | 第13-14页 |
| ·论文研究的主要内容 | 第13页 |
| ·论文研究意义 | 第13-14页 |
| ·论文研究的章节安排 | 第14页 |
| ·小结 | 第14-15页 |
| 2 刻蚀工艺介绍 | 第15-24页 |
| ·刻蚀工艺简介 | 第15-16页 |
| ·湿法刻蚀 | 第15-16页 |
| ·干法刻蚀 | 第16页 |
| ·等离子体理论 | 第16-19页 |
| ·等离子体的产生分类 | 第16-18页 |
| ·等离子体的基本过程 | 第18-19页 |
| ·等离子体刻蚀技术 | 第19-20页 |
| ·等离子体干法刻蚀技术分类 | 第19页 |
| ·反应离子刻蚀 | 第19-20页 |
| ·感应耦合等离子体刻蚀技术 | 第20-23页 |
| ·感应耦合等离子产生的方式 | 第20-21页 |
| ·感应耦合等离子体的特点 | 第21-22页 |
| ·感应耦合等离子刻蚀设备 | 第22-23页 |
| ·小结 | 第23-24页 |
| 3 纳米热压印设备温度系统的仿真分析 | 第24-32页 |
| ·纳米压印技术 | 第24-27页 |
| ·热压印技术 | 第24-25页 |
| ·紫外压印技术 | 第25-26页 |
| ·微接触印刷 | 第26-27页 |
| ·热压印设备加热平台温度的仿真 | 第27-31页 |
| ·加热方式的选择 | 第27-28页 |
| ·长方体结构加热平台的温度仿真 | 第28-30页 |
| ·圆柱体结构加热平台的温度仿真 | 第30-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 4 CH_4/H_2/Ar感应耦合等离子体刻蚀ZnS工艺研究 | 第32-41页 |
| ·刻蚀机理及实验过程 | 第32-34页 |
| ·感应耦合等离子体反应刻蚀ZnS的机理 | 第32页 |
| ·工艺参数对刻蚀效果的影响 | 第32-33页 |
| ·实验过程 | 第33-34页 |
| ·实验结果与分析 | 第34-39页 |
| ·气体总流量对ZnS刻蚀速率和表面粗糙度的影响 | 第34-35页 |
| ·Ar含量对ZnS刻蚀速率和表面粗糙度的影响 | 第35-36页 |
| ·偏压功率对ZnS刻蚀速率和表面粗糙度的影响 | 第36-37页 |
| ·射频功率对ZnS刻蚀速率和表面粗糙度的影响 | 第37-38页 |
| ·ZnS刻蚀工艺参数选择 | 第38-39页 |
| ·实验结论 | 第39-40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 5 热压印光刻胶PMMA的旋涂及刻蚀实验研究 | 第41-48页 |
| ·热压印光刻胶的选择 | 第41页 |
| ·光刻胶的旋涂实验 | 第41-46页 |
| ·PMMA光刻胶的配制 | 第42页 |
| ·匀胶转速对薄膜厚度的影响 | 第42-45页 |
| ·匀胶转速对薄膜表面粗糙度的影响 | 第45-46页 |
| ·PMMA胶刻蚀速率及与ZnS的刻蚀选择比 | 第46-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 6 结论 | 第48-50页 |
| ·结论 | 第48页 |
| ·展望 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-56页 |