一种多晶硅掩膜层湿法去除工艺的改进研究
| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-11页 |
| 1 绪论 | 第11-22页 |
| ·国内外技术现状及发展趋势 | 第11页 |
| ·我国半导体工业的发展 | 第11-12页 |
| ·半导体制造简介 | 第12-14页 |
| ·湿法工艺的目的 | 第14页 |
| ·文献回顾 | 第14-22页 |
| ·化学蚀刻技术 | 第14-17页 |
| ·化学清洗技术 | 第17-22页 |
| 2 理论基础 | 第22-28页 |
| ·多晶硅栅结构工艺 | 第22-26页 |
| ·多晶硅的原理 | 第22-23页 |
| ·多晶硅栅的工艺流程 | 第23页 |
| ·多晶硅工艺中的光刻技术 | 第23-25页 |
| ·多晶硅工艺中的湿法刻蚀技术 | 第25-26页 |
| ·氮氧化硅湿法刻蚀的问题 | 第26-28页 |
| 3 实验设计与制程设计 | 第28-39页 |
| ·实验目的 | 第28-31页 |
| ·杂质颗粒产生的机理分析 | 第28-31页 |
| ·制程设计 | 第31-35页 |
| ·硅片表面洗刷技术 | 第32-33页 |
| ·SC1 清洗技术 | 第33-34页 |
| ·改进方案设计 | 第34-35页 |
| ·实验设备 | 第35-39页 |
| ·单片式硅片表面洗刷设备 | 第36页 |
| ·批处理式硅片清洗设备 | 第36-39页 |
| 4 实验结果与讨论 | 第39-51页 |
| ·传统湿法制程（方式1） | 第39-40页 |
| ·物理清洗（方式2） | 第40-44页 |
| ·化学清洗（方式3） | 第44-48页 |
| ·化学清洗（方式4） | 第48-51页 |
| 5 结论 | 第51-54页 |
| ·结论 | 第51页 |
| ·未来展望 | 第51-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第57-58页 |
